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Infineon macht nächsten Schritt in der Wafer-Technologie

Nach der Ankündigung der weltweit ersten 300-Millimeter-Galliumnitrid (GaN)-Wafer-Technologie für Leistungselektronik und der Eröffnung der weltweit größten 200-Millimeter-„Siliziumcarbid (SiC) Power Fab“ in Kulim in Malaysia hat die Infineon Technologies AG jetzt den nächsten Meilenstein in der Halbleitertechnologie erreicht. Mit einer Dicke von nur 20 Mikrometern hat Infineon nach eigenen Angaben einen Durchbruch in Herstellung und Verarbeitung der dünnsten Silizium (Si)-Leistungshalbleiter-Wafer erzielt, die jemals in einer hochskalierten Halbleiterfabrik hergestellt wurden.













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© 2024 Evertiq AB 2024.10.30 16:09 V23.2.0-2