Nexperia stiftet Professur an der TU Hamburg für neue Leistungshalbleiter
Die Technische Universität Hamburg stärkt ihre Forschung im Bereich Leistungselektronik – mit tatkräftiger Unterstützung aus der Industrie. Der niederländische Halbleiterhersteller Nexperia finanziert eine neue Professur, die sich auf zukunftsfähige elektronische Bauelemente konzentriert. Das gab die Universität am 17. Juli auf ihrer Webseite bekannt. An der Schnittstelle zwischen Wissenschaft und Anwendung soll so ein neues Forschungsumfeld mit Fokus auf die Anforderungen moderner Energiesysteme entstehen.
Forschungsschwerpunkt Siliziumkarbid und Galliumnitrid
Im Mittelpunkt der neuen Forschungsaktivitäten stehen Wide-Bandgap-Materialien wie Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN). Sie gelten als vielversprechende Alternativen zu herkömmlichem Silizium und sollen vor allem in Anwendungen mit hoher Leistungsdichte für Effizienzgewinne sorgen. Ziel ist es, Halbleiterbauelemente zu entwickeln, die bei kompakter Bauweise zuverlässig arbeiten – etwa in Elektrofahrzeugen oder Stromversorgungssystemen. Die Professur verbindet akademische Grundlagenforschung mit praxisnaher Entwicklung und unterstreicht damit die strategische Bedeutung der Leistungselektronik für eine elektrifizierte Zukunft.
Siliziumkarbid-Dioden erweitern das Anwendungsspektrum in der Leistungselektronik
Der Einsatz von Siliziumkarbid gewinnt nicht nur in der Forschung an Bedeutung. Auch auf Produktebene setzt Nexperia auf dieses Material: Wie Evertiq Anfang Juli berichtete, hat das Unternehmen zwei neue SiC-Schottky-Dioden mit 1200 V und 20 A vorgestellt – ausgelegt für anspruchsvolle Anwendungen wie KI-Rechenzentren und Solartechnik. Die Modelle PSC20120J und PSC20120L kombinieren Zero-Recovery-Schalten mit hoher thermischer Stabilität und reduzieren durch ihre Merged-PiN-Schottky-Struktur den Bedarf an zusätzlichen Schutzmaßnahmen.
TU Hamburg baut Institut für energieeffiziente Halbleiter auf
Die von Nexperia finanzierte Professur für Bauelemente in der Leistungselektronik wurde im April 2025 neu eingerichtet und mit Holger Kapels besetzt, heißt es in der Mitteilung. Der Elektrotechniker bringt langjährige Erfahrung aus der Industrie und angewandten Forschung mit – darunter Stationen bei Infineon, dem Fraunhofer-Institut für Siliziumtechnologie und mehreren Hochschulen. An der TU Hamburg übernimmt Kapels nicht nur die Professur, sondern gründet auch das Institut „Power Electronic Devices“, das künftig innovative Lösungen für leistungsintensive Anwendungen in Rechenzentren, E-Mobilität und Industrie entwickeln soll.