Nexperia bringt neue 1200-V-SiC-Dioden für KI-Infrastruktur und Solartechnik
NIJMEGEN, 10. Juli – Nexperia hat zwei neue Siliziumkarbid-Schottky-Dioden mit 1200 V Spannung und 20 A Stromtragfähigkeit vorgestellt. Die Modelle PSC20120J und PSC20120L richten sich an Anwendungen mit hohen Anforderungen an Effizienz und Robustheit – etwa in KI-Rechenzentren, Telekommunikationssystemen und Photovoltaik-Wechselrichtern.
Die neuen Dioden zeichnen sich durch vollständig erholungsfreies Schalten („Zero Recovery“) sowie ein temperaturstabiles kapazitives Verhalten aus. Dadurch ermöglichen sie hohe Schaltleistungen bei minimalen Verlusten – unabhängig von Stromstärke oder Schaltfrequenz.
Dank der integrierten Merged-PiN-Schottky-Struktur (MPS) sind die Dioden besonders unempfindlich gegenüber transienten Einschaltströmen. Dies senkt den Bedarf an Schutzschaltungen und vereinfacht das Systemdesign – insbesondere bei Hochspannungsanwendungen mit begrenztem Platz.
Nexperia bietet die PSC20120J im SMD-Gehäuse D2PAK R2P (TO-263-2) an, während die PSC20120L im THT-Gehäuse TO247 R2P (TO-247-2) erhältlich ist. Beide Varianten sind für Betriebstemperaturen bis zu 175 °C ausgelegt und bieten hohe thermische Stabilität sowie Langzeitzuverlässigkeit.
Mit der Einführung dieser Komponenten baut Nexperia sein Wide-Bandgap-Portfolio weiter aus. Das Unternehmen betont neben der Technologie auch seine stabile Lieferkette und langjährige Fertigungskompetenz in der Leistungselektronik.