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Festkörpertransformatoren für KI-Rechenzentren: Infineon liefert 900-Volt-GaN-Schalter an Enphase En

27 Oktober 2026
Der deutsche Halbleiterhersteller Infineon liefert dem US-Energietechnikunternehmen Enphase Energy die nach eigenen Angaben weltweit ersten monolithischen bidirektionalen GaN-Schalter mit 900 Volt Sperrspannung für Festkörpertransformatoren in KI-Rechenzentren. Das geht aus einer Technologiemeldung von Infineon vom 26. Oktober hervor. Die Bauelemente sollen eine effizientere Stromwandlung bei geringerem Platzbedarf ermöglichen und den Aufbau künftiger Gleichstromnetze mit höheren Spannungen erleichtern.

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Infineon investiert 1,1 Milliarden Euro in GaN-Chipfertigung in Villach

27 Oktober 2026
Der deutsche Halbleiterhersteller Infineon investiert rund 1,1 Milliarden Euro in den Aufbau einer Großserienfertigung für Galliumnitrid-Leistungshalbleiter (GaN) im österreichischen Villach. Das geht aus einer Pressemitteilung des Unternehmens vom 27. Oktober hervor. Dort soll nach Unternehmensangaben die weltweit erste Großserienproduktion von GaN-Leistungshalbleitern auf 300-Millimeter-Wafern entstehen. Mit der Investition will Infineon die steigende Nachfrage nach energieeffizienten Chips bedienen und die europäische Halbleiterfertigung stärken.

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Rutronik startet Robotik-Initiative mit Infineon, Altera und ams-Osram

27 Oktober 2026
Der deutsche Elektronikdistributor Rutronik hat die Initiative „Rutronik Robotics“ ins Leben gerufen. Das geht aus einer Pressemitteilung des Unternehmens vom 26. Oktober hervor. Gemeinsam mit den Technologiepartnern Infineon, ams-Osram, Altera und RECOM Power will Rutronik die Zusammenarbeit zwischen Technologieherstellern und Robotikentwicklern stärken. So sollen neue Robotiklösungen schneller entwickelt und auf den Markt gebracht werden können.

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SUSS schließt Technologiepartnerschaft mit Dresdner Deep-Tech-Plattform Ignite Next

15 Oktober 2026
Der deutsche Halbleiterausrüster SUSS wird Technologiepartner für Halbleiteranlagen und Prozesstechnik bei der Dresdner Deep-Tech-Plattform Ignite Next. Das geht aus einer Mitteilung des Unternehmens vom 13. Oktober hervor. Als Partner für Halbleiteranlagen und Prozesstechnik soll das Unternehmen helfen, neue Entwicklungen für die industrielle Fertigung nutzbar zu machen. SUSS erhofft sich dadurch einen frühen Zugang zu Technologien, die künftig für die Chipproduktion und Advanced Packaging relevant werden könnten.

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Infineon liefert SiC-Leistungshalbleiter für Eatons 800-VDC-Plattform

02 Oktober 2026
Der deutsche Halbleiterhersteller Infineon stattet Eatons Mittelspannungs-Solid-State-Transformer MVSST 2.0 mit Siliziumkarbid-Leistungshalbleitern aus. Das geht aus einer Pressemitteilung von Infineon vom 29. September hervor. Die Plattform soll die Stromumwandlung für hochverdichtete KI-Recheninfrastruktur effizienter und zuverlässiger gestalten. Die Partner wollen damit auch den Weg zu 800-VDC-Stromarchitekturen in Rechenzentren vorbereiten.

200mm-SiC-Wafer

Infineon eröffnet neuen Backend-Standort in Thailand

01 Oktober 2026
Der deutsche Halbleiterhersteller Infineon hat einen neuen Backend-Fertigungsstandort im thailändischen Bangkok eröffnet. Das geht aus einer Pressemitteilung des Unternehmens vom 1. Oktober hervor. Der Standort in Samut Prakan schafft zusätzliche Fertigungskapazitäten und kann schrittweise auf bis zu fünf Module erweitert werden. Damit will Infineon sein globales Produktionsnetz breiter aufstellen und Kunden weltweit flexibler bedienen.

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SEMI Europe beteiligt sich an ReSiLient für neue Silizium- und SiC-Rohstoffwege

17 September 2026
Der Halbleiterbranchenverband SEMI Europe schließt sich dem 9,57 Millionen Euro schweren ReSiLient-Projekt für neue europäische Silizium- und Siliziumkarbid-Rohstoffquellen an. Das geht aus einer Mitteilung des Verbands vom 14. September hervor. Das Konsortium will heimische Mineralquellen und industrielle Reststoffe prüfen und daraus neue Produktionswege für Halbleiterrohstoffe entwickeln. Ziel ist eine widerstandsfähigere europäische Versorgung mit Silizium und SiC.

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Infineon und SolarEdge erweitern 800-VDC-Architektur um Halbleiterschutz

10 September 2026
Der deutsche Chiphersteller Infineon und der Energietechnikanbieter SolarEdge entwickeln halbleiterbasierte Schutzschalter für 800-Volt-Gleichstromnetze in KI- und Hyperscale-Rechenzentren weiter. Das geht aus einer Pressemitteilung von Infineon vom 9. September hervor. Die Solid-State-Circuit-Breaker (SSCB) sollen die Verteilungsebene zwischen Stromumwandlung und Compute-Rack absichern. Steigende Rechendichten verschärfen die Anforderungen an den Schutz solcher Gleichstromarchitekturen.

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EU-Projekt ICOS² soll Europas Halbleiterresilienz stärken

21 Juli 2026
Ein europäisches Konsortium aus 21 Organisationen startet das Horizon-Europe-Projekt ICOS², um Europas Position in der globalen Halbleiterindustrie zu stärken. Das geht aus einer Mitteilung des Fraunhofer EMFT vom 15. Juli hervor. Das Projekt soll globale Lieferketten, technologische Entwicklungen und strategische Abhängigkeiten analysieren. Daraus wollen die Partner konkrete Empfehlungen für Europas Halbleiterpolitik und die internationale Zusammenarbeit ableiten.

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MAHLE entwickelt kompakten Kühlkörper für Infineon-Hochleistungsmodul

21 Juli 2026
Der deutsche Thermomanagement-Spezialist MAHLE stattet ein neues Hochleistungsmodul des Halbleiterherstellers Infineon mit einem passgenau entwickelten Flüssigkeitskühlkörper aus. Das geht aus der jüngsten Pressemitteilung von MAHLE hervor. Das Modul soll unter anderem bei der Steuerung der Stromversorgung von Rechenzentren zum Einsatz kommen. Die Flüssigkeitskühlung soll eine deutlich höhere Leistung als bei den Vorgängermodulen ermöglichen und zugleich die Lebensdauer des neuen Moduls erhöhen.

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Infineon und LS ELECTRIC wollen gemeinsam DC-Systeme für KI-Rechenzentren voranbringen

20 Juli 2026
Der deutsche Halbleiterhersteller Infineon und der südkoreanische Energie- und Automatisierungstechnikkonzern LS ELECTRIC wollen gemeinsam Gleichstromlösungen für KI-Rechenzentren und künftige Stromnetze entwickeln. Das teilte Infineon am 13. Juli mit. Die Unternehmen reagieren damit auf den stark wachsenden Energiebedarf von KI-Rechenzentren. Gleichstromarchitekturen sollen die Stromverteilung effizienter machen und hohe Leistungsdichten zuverlässiger bewältigen.

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Deutschland und Kanada vereinbaren Halbleiter-Partnerschaft für robustere Lieferketten

03 Juli 2026
Das Bundeswirtschaftsministerium und das kanadische Industrieministerium wollen ihre Zusammenarbeit im Halbleitersektor stärker ausbauen. Das geht aus Mitteilungen des Ministeriums sowie der kanadischen Regierung vom 30. Juni hervor. Die Vereinbarung soll den Austausch über Mikroelektronik voranbringen und Kooperationen bei Investitionen, industrieller Entwicklung, Technologie und Forschung erleichtern.

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