Infineon liefert erste Siliziumkarbid-Produkte an Kunden aus
Die Infineon Technologies AG hat bei der Umsetzung der 200-mm-Siliziumkarbid (SiC)-Strategie nach eigenen Angaben entscheidende Fortschritte erzielt. Das Unternehmen wird bereits im ersten Quartal 2025 die ersten Produkte, die auf der fortschrittlichen 200-mm-SiC-Technologie basieren, an Kunden ausliefern.
Die im österreichischen Villach gefertigten Produkte bieten erstklassige SiC-Power-Technologie für Hochspannungsanwendungen, darunter erneuerbare Energien, Elektrofahrzeuge, Schnellladestationen und Züge. Auch die Umstellung des Infineon-Produktionsstandorts in Kulim in Malaysia von 150-mm-Wafern auf die größeren und effizienteren 200-mm-Wafer verläuft nach Plan. Das neu errichtete Modul 3 wird die Hochvolumenfertigung im Einklang mit den Marktbedingungen aufnehmen.
„Die Umsetzung unserer SiC-Fertigung schreitet wie geplant voran und wir sind stolz auf die ersten Kundenauslieferungen. Durch das schrittweise Hochfahren der SiC-Produktion in Villach und Kulim verbessern wir die Kosteneffizienz und sichern weiterhin die Produktqualität. Gleichzeitig erreichen wir, dass die Produktionskapazitäten die Nachfrage nach SiC-Leistungshalbleitern decken“, sagt Dr. Rutger Wijburg, Chief Operations Officer von Infineon.
SiC-basierte Leistungshalbleiter können Strom noch effizienter schalten, weisen eine hohe Zuverlässigkeit und Robustheit unter extremen Bedingungen auf und ermöglichen noch kleinere Designs. Mit den SiC-Produkten von Infineon könnten Kunden energieeffiziente Lösungen für Elektrofahrzeuge, Schnellladestationen und Züge sowie für erneuerbare Energiesysteme und KI-Rechenzentren entwickeln, schreibt das Unternehmen.
Die Auslieferung der ersten SiC-Produkte, die auf der 200-mm-Wafer-Technologie basieren, sei ein wichtiger Schritt auf der SiC-Roadmap von Infineon, mit dem Ziel, Kunden ein umfassendes Portfolio an Hochleistungshalbleitern zu bieten, die grüne Energie ermöglichen und zur CO 2-Reduktion beitragen.
Als „Infineon One Virtual Fab” für hochinnovative Wide-Bandgap-Technologien nutzen die Infineon-Produktionsstandorte in Villach und Kulim gemeinsame Technologien und Prozesse, die einen schnellen Ramp-up sowie einen reibungslosen und hocheffizienten Betrieb in der SiC- und Galliumnitrid (GaN)-Fertigung ermöglichen.
