Infineon und Visteon-Shinry entwickeln einstufiges GaN-Ladegerät für Elektroautos
Der deutsche Halbleiterhersteller Infineon hat sich mit dem US-chinesischen Gemeinschaftsunternehmen Visteon-Shinry Power Electronics (VSPE) für die Entwicklung eines einstufigen Onboard-Ladegeräts für Elektrofahrzeuge zusammengeschlossen. Das geht aus einer Mitteilung von Infineon vom 11. November hervor. Die Partner wollen mehrere bisher getrennte Funktionen der Leistungswandlung in einer einzigen Stufe integrieren. Das soll die Baugröße und Komplexität verringern und einen bidirektionalen Energiefluss zwischen Fahrzeug und Stromnetz ermöglichen.
Vertical Compute und imec entwickeln vertikal integrierte Speicherchips weiter
Das europäische Halbleiter-Start-up Vertical Compute und das belgische Forschungszentrum imec erweitern ihre Kooperation zur Entwicklung vertikal integrierter Speicherchips. Das geht aus einer gemeinsamen Mitteilung vom 11. November hervor. Die Partner wollen einen Testchip in 40-Nanometer-Technologie vollständig validieren und die Fertigung eines ersten Vorserienchips mit 16-Nanometer-Strukturen vorbereiten. Die neue Speicherarchitektur soll den Zugriff auf Daten beschleunigen und den Energieverbrauch reduzieren.
Imec entwickelt Referenzprozess für Silizium-Interposer in Europas NanoIC-Pilotlinie
Das belgische Halbleiterforschungszentrum imec hat die grundlegenden Abläufe für die Herstellung von Silizium-Interposern in der europäischen NanoIC-Pilotlinie ausgearbeitet. Das teilte imec am 10. November mit. Die Interposer ermöglichen hochdichte elektrische Verbindungen zwischen Chiplets und Speicherbausteinen. Darauf aufbauend will imec nun ein Prozessdesign-Kit entwickeln, mit dem Halbleiterentwickler eigene Chiplet-Architekturen virtuell erproben können.
Infineon erreicht Meilenstein bei 300-Millimeter-SiC-Wafern
Infineon Technologies hat an seinem Standort in Villach, Österreich, erstmals funktionsfähige Leistungshalbleiter auf 300-Millimeter-Siliziumkarbid-Wafern (SiC) hergestellt. Nach Unternehmensangaben ist Infineon damit der erste Halbleiterhersteller, dem dieser Schritt unter realen Fertigungsbedingungen gelungen ist. Die Technologie könnte künftig eine effizientere Produktion von SiC-Leistungshalbleitern für Elektrofahrzeuge, Industrieanwendungen und KI-Rechenzentren ermöglichen.
Fraunhofer IPMS erzielt Fortschritte bei Chipintegration und energieeffizienten Speichertechnologien
Das Fraunhofer-Institut für Photonische Mikrosysteme IPMS arbeitet an neuen Technologien für die heterogene Chipintegration, integrierte Photonik und energieeffiziente Speicherlösungen. Zu den aktuellen Entwicklungen gehört die erfolgreiche Demonstration eines Verfahrens, mit dem sich Chiplets direkt in Siliziumwafer integrieren lassen. Die Forschungsarbeiten sollen die Leistungsfähigkeit künftiger Halbleitersysteme verbessern und neue Möglichkeiten für die industrielle Fertigung eröffnen.
Dresdner Forscher identifizieren 2.531 potenzielle 2D-Materialien mit neuem Rechenverfahren
Forschende des Helmholtz-Zentrums Dresden-Rossendorf (HZDR) und der TU Dresden haben ein neues Rechenverfahren entwickelt und damit 2.531 potenzielle zweidimensionale Materialien identifiziert. Das geht aus einer Mitteilung der TU Dresden vom 27. Oktober hervor. Die Methode spürt ultradünne Materialschichten auch in Kristallen auf, die bislang für solche Untersuchungen kaum berücksichtigt wurden. Die neu identifizierten Materialien könnten künftig bei der Entwicklung von Halbleitern und optoelektronischen Bauelementen zum Einsatz kommen.
NXP-Mikrocontroller bilden die Grundlage für Volkswagens neue zonale Fahrzeugarchitektur
Der Volkswagen-Konzern hat NXP als strategischen Technologiepartner für seine zukünftige zonale Fahrzeugarchitektur ausgewählt. Die Mikrocontroller der S32K5-Familie von NXP sollen als einheitliche Basiskomponente über alle Konzernmarken und Fahrzeugsegmente hinweg eingesetzt werden. Das erste Fahrzeug mit der neuen Architektur ist für 2027 geplant.
Festkörpertransformatoren für KI-Rechenzentren: Infineon liefert 900-Volt-GaN-Schalter an Enphase En
Der deutsche Halbleiterhersteller Infineon liefert dem US-Energietechnikunternehmen Enphase Energy die nach eigenen Angaben weltweit ersten monolithischen bidirektionalen GaN-Schalter mit 900 Volt Sperrspannung für Festkörpertransformatoren in KI-Rechenzentren. Das geht aus einer Technologiemeldung von Infineon vom 26. Oktober hervor. Die Bauelemente sollen eine effizientere Stromwandlung bei geringerem Platzbedarf ermöglichen und den Aufbau künftiger Gleichstromnetze mit höheren Spannungen erleichtern.
GlobalFoundries und Siemens entwickeln KI-Kontrollzentrum für Chipfertigung in Singapur
Der US-amerikanische Halbleiterfertiger GlobalFoundries hat gemeinsam mit Siemens ein KI-gestütztes Kontrollzentrum für seine Fabrikinfrastruktur in Singapur eröffnet. Das geht aus einer Unternehmensmitteilung vom 26. Oktober hervor. Die neue Leitstelle soll Betriebsdaten mehrerer Chipfabriken zusammenführen und technische Störungen früher erkennen. Langfristig will GlobalFoundries dieses Konzept auf weitere Fertigungsstandorte übertragen.
Rambus investiert in ChipAgents und baut KI-gestützte Chipentwicklung aus
Der US-amerikanische Chip- und Halbleiter-IP-Entwickler Rambus wird strategischer Investor des KI-Unternehmens ChipAgents und will dessen Plattform künftig unternehmensweit in seine Entwicklungsprozesse integrieren. Das geht aus einer Mitteilung von Rambus vom 22. Oktober hervor. Gemeinsam wollen die Unternehmen KI-gestützte Arbeitsabläufe für den Chipentwurf und die Verifikation weiterentwickeln. Das soll die Entwicklungszeiten verkürzen und die Einbindung von Halbleiter-IP in Kundenprojekte vereinfachen.
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