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Cambridge GaN Devices und Ricardo entwickeln Wechselrichter für Nissan-Projekt

Der britische Leistungshalbleiterentwickler Cambridge GaN Devices (CGD) entwickelt gemeinsam mit dem Automobiltechnik-Spezialisten Ricardo einen GaN-Traktionswechselrichter für Elektrofahrzeuge. Das teilte CGD am 9. November mit. Im Rahmen des Nissan-geführten Forschungsprojekts SUITE wollen die Partner den neuen Wechselrichter auf Basis der integrierten GaN-Technologie von CGD realisieren. Schnellere Schaltvorgänge mit geringeren Verlusten sollen die Effizienz des Elektroantriebs verbessern und die Kosten für die Leistungselektronik senken.

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Infineon und Visteon-Shinry entwickeln einstufiges GaN-Ladegerät für Elektroautos

Der deutsche Halbleiterhersteller Infineon hat sich mit dem US-chinesischen Gemeinschaftsunternehmen Visteon-Shinry Power Electronics (VSPE) für die Entwicklung eines einstufigen Onboard-Ladegeräts für Elektrofahrzeuge zusammengeschlossen. Das geht aus einer Mitteilung von Infineon vom 11. November hervor. Die Partner wollen mehrere bisher getrennte Funktionen der Leistungswandlung in einer einzigen Stufe integrieren. Das soll die Baugröße und Komplexität verringern und einen bidirektionalen Energiefluss zwischen Fahrzeug und Stromnetz ermöglichen.


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Vertical Compute und imec entwickeln vertikal integrierte Speicherchips weiter

Das europäische Halbleiter-Start-up Vertical Compute und das belgische Forschungszentrum imec erweitern ihre Kooperation zur Entwicklung vertikal integrierter Speicherchips. Das geht aus einer gemeinsamen Mitteilung vom 11. November hervor. Die Partner wollen einen Testchip in 40-Nanometer-Technologie vollständig validieren und die Fertigung eines ersten Vorserienchips mit 16-Nanometer-Strukturen vorbereiten. Die neue Speicherarchitektur soll den Zugriff auf Daten beschleunigen und den Energieverbrauch reduzieren.

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Imec entwickelt Referenzprozess für Silizium-Interposer in Europas NanoIC-Pilotlinie

Das belgische Halbleiterforschungszentrum imec hat die grundlegenden Abläufe für die Herstellung von Silizium-Interposern in der europäischen NanoIC-Pilotlinie ausgearbeitet. Das teilte imec am 10. November mit. Die Interposer ermöglichen hochdichte elektrische Verbindungen zwischen Chiplets und Speicherbausteinen. Darauf aufbauend will imec nun ein Prozessdesign-Kit entwickeln, mit dem Halbleiterentwickler eigene Chiplet-Architekturen virtuell erproben können.


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Infineon erreicht Meilenstein bei 300-Millimeter-SiC-Wafern

Infineon Technologies hat an seinem Standort in Villach, Österreich, erstmals funktionsfähige Leistungshalbleiter auf 300-Millimeter-Siliziumkarbid-Wafern (SiC) hergestellt. Nach Unternehmensangaben ist Infineon damit der erste Halbleiterhersteller, dem dieser Schritt unter realen Fertigungsbedingungen gelungen ist. Die Technologie könnte künftig eine effizientere Produktion von SiC-Leistungshalbleitern für Elektrofahrzeuge, Industrieanwendungen und KI-Rechenzentren ermöglichen.


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Fraunhofer IPMS erzielt Fortschritte bei Chipintegration und energieeffizienten Speichertechnologien

Das Fraunhofer-Institut für Photonische Mikrosysteme IPMS arbeitet an neuen Technologien für die heterogene Chipintegration, integrierte Photonik und energieeffiziente Speicherlösungen. Zu den aktuellen Entwicklungen gehört die erfolgreiche Demonstration eines Verfahrens, mit dem sich Chiplets direkt in Siliziumwafer integrieren lassen. Die Forschungsarbeiten sollen die Leistungsfähigkeit künftiger Halbleitersysteme verbessern und neue Möglichkeiten für die industrielle Fertigung eröffnen.


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Diamond Foundry stellt Einkristalldiamanten mit 200 Millimetern Durchmesser her

Das US-amerikanische Materialtechnologieunternehmen Diamond Foundry hat nach eigenen Angaben erstmals einen Einkristalldiamanten mit 200 Millimetern Durchmesser hergestellt. Das teilte das Unternehmen am 5. November mit. Der Kristall erreicht damit eine Größe, die in der Halbleiterindustrie bereits als Waferformat etabliert ist. Diamond Foundry will das Material künftig für Chips nutzbar machen und deren Wärmeabfuhr verbessern.

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Infineon und Qualcomm entwickeln Mikrocontroller-Subsystem für zentrale Fahrzeugcomputer

Der deutsche Halbleiterhersteller Infineon Technologies und der US-amerikanische Chipentwickler Qualcomm Technologies wollen gemeinsam eine Mikrocontroller-Lösung entwickeln, die den Systemzustand zentraler Fahrzeugcomputer überwacht und sicherheitskritische Funktionen in Echtzeit steuert. Das geht aus einer Pressemitteilung von Infineon vom 2. November hervor. Die Lösung soll die Snapdragon-Ride- und Ride-Flex-Referenzplattformen von Qualcomm um entsprechende Sicherheits- und Überwachungsfunktionen ergänzen. Damit sollen Automobilhersteller automatisiertes Fahren und digitale Cockpitfunktionen künftig schneller auf einer zentralen Rechnerplattform realisieren können.


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Dresdner Forscher identifizieren 2.531 potenzielle 2D-Materialien mit neuem Rechenverfahren

Forschende des Helmholtz-Zentrums Dresden-Rossendorf (HZDR) und der TU Dresden haben ein neues Rechenverfahren entwickelt und damit 2.531 potenzielle zweidimensionale Materialien identifiziert. Das geht aus einer Mitteilung der TU Dresden vom 27. Oktober hervor. Die Methode spürt ultradünne Materialschichten auch in Kristallen auf, die bislang für solche Untersuchungen kaum berücksichtigt wurden. Die neu identifizierten Materialien könnten künftig bei der Entwicklung von Halbleitern und optoelektronischen Bauelementen zum Einsatz kommen.

Festkörpertransformatoren für KI-Rechenzentren: Infineon liefert 900-Volt-GaN-Schalter an Enphase En

Der deutsche Halbleiterhersteller Infineon liefert dem US-Energietechnikunternehmen Enphase Energy die nach eigenen Angaben weltweit ersten monolithischen bidirektionalen GaN-Schalter mit 900 Volt Sperrspannung für Festkörpertransformatoren in KI-Rechenzentren. Das geht aus einer Technologiemeldung von Infineon vom 26. Oktober hervor. Die Bauelemente sollen eine effizientere Stromwandlung bei geringerem Platzbedarf ermöglichen und den Aufbau künftiger Gleichstromnetze mit höheren Spannungen erleichtern.

GlobalFoundries und Siemens entwickeln KI-Kontrollzentrum für Chipfertigung in Singapur

Der US-amerikanische Halbleiterfertiger GlobalFoundries hat gemeinsam mit Siemens ein KI-gestütztes Kontrollzentrum für seine Fabrikinfrastruktur in Singapur eröffnet. Das geht aus einer Unternehmensmitteilung vom 26. Oktober hervor. Die neue Leitstelle soll Betriebsdaten mehrerer Chipfabriken zusammenführen und technische Störungen früher erkennen. Langfristig will GlobalFoundries dieses Konzept auf weitere Fertigungsstandorte übertragen.


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Rambus investiert in ChipAgents und baut KI-gestützte Chipentwicklung aus

Der US-amerikanische Chip- und Halbleiter-IP-Entwickler Rambus wird strategischer Investor des KI-Unternehmens ChipAgents und will dessen Plattform künftig unternehmensweit in seine Entwicklungsprozesse integrieren. Das geht aus einer Mitteilung von Rambus vom 22. Oktober hervor. Gemeinsam wollen die Unternehmen KI-gestützte Arbeitsabläufe für den Chipentwurf und die Verifikation weiterentwickeln. Das soll die Entwicklungszeiten verkürzen und die Einbindung von Halbleiter-IP in Kundenprojekte vereinfachen.


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Fraunhofer-Forschungsteam entwickelt GaN-Modul für 800-Volt-Ladesysteme

Das deutsche Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF hat gemeinsam mit Industrie- und Forschungspartnern ein Galliumnitrid-Leistungsmodul für bidirektionale 800-Volt-Ladesysteme entwickelt. Das geht aus einer Mitteilung des Instituts vom 14. Oktober hervor. Mit GaN-Halbleitern der 1200-Volt-Klasse wollen die Forscher die Leistungselektronik für kompakte und kostengünstige Ladegeräte weiterentwickeln. Künftig sollen Elektrofahrzeuge damit Strom aus dem Netz aufnehmen und bei Bedarf wieder ins Stromnetz einspeisen können.

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Siemens und IBM forschen gemeinsam an dreidimensionaler Chiparchitektur

Der deutsche Technologiekonzern Siemens und das US-amerikanische IT-Unternehmen IBM haben eine gemeinsame Forschungsinitiative zur Weiterentwicklung der dreidimensionalen Nanostack-Transistorarchitektur angekündigt. Das geht aus einer Mitteilung von IBM vom 14. Oktober hervor. Die neue Architektur soll eine höhere Transistordichte ermöglichen und damit die Leistungsfähigkeit und Energieeffizienz künftiger Halbleitergenerationen steigern. Nachdem IBM ihre prinzipielle Funktionsfähigkeit bereits demonstriert hat, wollen die Partner nun die technischen Hürden auf dem Weg zur industriellen Fertigung überwinden.

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LG liefert Cockpit-Elektronik für elektrischen Renault Trafic

Der südkoreanische Elektronikkonzern LG Electronics liefert ein integriertes Cockpitsystem für den neuen elektrischen Renault Trafic. Das geht aus einer Unternehmensmitteilung vom 6. Oktober hervor. Mit der neuen Technik steuert LG das digitale Kombiinstrument und die Infotainment-Funktionen über eine gemeinsame Architektur. Der elektrische Trafic ist das erste Seriennutzfahrzeug von Renault mit softwaredefinierter Fahrzeugarchitektur.


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Merck eröffnet F&E-Zentrum für Halbleitermaterialien in Wisconsin

Das zum Darmstädter Merck-Konzern gehörende US-Unternehmen EMD Electronics hat im US-Bundesstaat Wisconsin ein neues Forschungs- und Entwicklungszentrum für Halbleitermaterialien eröffnet. Das geht aus einer Mitteilung von EMD Electronics vom 2. Oktober hervor. Am neuen Standort in Sheboygan Falls will das Unternehmen die Entwicklung und industrielle Nutzung innovativer Halbleitermaterialien beschleunigen. Dafür sollen die Entwicklungsarbeiten stärker auf die technologischen Anforderungen der Halbleiterhersteller abgestimmt werden.

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AlixLabs testet APS-Technologie in europäischer NanoIC-Pilotlinie

Das schwedische Halbleiterausrüstungsunternehmen AlixLabs startet mit imec eine sechsmonatige Evaluierung seiner APS-Technologie in der europäischen NanoIC-Pilotlinie. Das geht aus einer Mitteilung von AlixLabs vom 1. Oktober hervor. Das Unternehmen will das Verfahren unter industrienahen Bedingungen untersuchen und auf vollständige Wafer übertragen. Die Ergebnisse sollen den weiteren Weg zur industriellen Qualifizierung vorbereiten.

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Applied Materials und Besi bauen Partnerschaft für Chip-Packaging aus

Der US-amerikanische Halbleiterausrüster Applied Materials und der niederländische Halbleitertechnik-Spezialist Besi weiten ihre Zusammenarbeit auf neue Verfahren für 3D-Chipintegration und Packaging aus. Das geht aus einer gemeinsamen Mitteilung vom 1. Oktober hervor. Auf Basis ihrer bisherigen Hybrid-Bonding-Entwicklung wollen die Partner weitere Verfahren für die Integration und Verbindung von Chips vorantreiben. Damit reagieren sie auf höhere Anforderungen an Bandbreite und Integrationsdichte in KI-Systemen.

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Infineon liefert SiC-Leistungshalbleiter für Eatons 800-VDC-Plattform

Der deutsche Halbleiterhersteller Infineon stattet Eatons Mittelspannungs-Solid-State-Transformer MVSST 2.0 mit Siliziumkarbid-Leistungshalbleitern aus. Das geht aus einer Pressemitteilung von Infineon vom 29. September hervor. Die Plattform soll die Stromumwandlung für hochverdichtete KI-Recheninfrastruktur effizienter und zuverlässiger gestalten. Die Partner wollen damit auch den Weg zu 800-VDC-Stromarchitekturen in Rechenzentren vorbereiten.

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Quobly arbeitet mit CEA-Leti und STMicroelectronics an skalierbaren Quantenchips

Das französische Quantencomputing-Unternehmen Quobly erhält über seine Zusammenarbeit mit dem französischen Forschungsinstitut für Mikroelektronik und Informationstechnologien CEA-Leti Zugang zur europäischen FAMES-Pilotlinie für Halbleitertechnologien. Das geht aus einer Mitteilung von Quobly vom 28. September hervor. Dort will das Unternehmen neue Prozessabläufe für spätere Generationen seiner Silizium-Quantenprozessoren entwickeln und erproben.


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Fraunhofer stellt RISC-V-Sicherheits-IP für eigene Chipdesigns bereit

Die deutschen Fraunhofer-Institute AISEC, EMFT und IIS stellen ihr RISC-V Secure Element nach erfolgreicher Prüfung des Silizium-Prototyps als lizenzierbare IP für kundenspezifische Chips bereit. Das geht aus einer Pressemitteilung des Fraunhofer AISEC vom 28. September hervor. Unternehmen können die Sicherheitsplattform in eigene SoCs, ASICs und Chiplets integrieren. So sollen Sicherheitsfunktionen bereits auf Halbleiterebene in das Design einfließen und technische Risiken bei der Chipentwicklung sinken.

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imec erweitert Zugang zu TSMCs Advanced-Node-Chipdesign

Das belgische Forschungszentrum imec erweitert über seinen Design- und Fertigungsdienst IC-Link die Zusammenarbeit mit dem taiwanischen Halbleiter-Auftragsfertiger TSMC. Das geht aus einer Pressemitteilung von imec vom 23. September hervor. IC-Link tritt dazu der TSMC Open Innovation Platform (OIP) Cloud Alliance bei. Damit sollen Entwicklungsteams leichter auf Designinfrastruktur und Technologien für fortgeschrittene Halbleiterprozesse zugreifen können.

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Rutronik wird Vertriebspartner für Altera-FPGAs in Europa

Der deutsche Elektronikdistributor Rutronik will künftig das FPGA-Portfolio des US-Anbieters Altera im europäischen Markt vertreiben. Das geht aus einer gemeinsamen Mitteilung der Unternehmen vom 17. September hervor. Rutronik vertreibt Alteras FPGA-Portfolio künftig in Europa und begleitet Kunden technisch vom Konzept bis zur Serienfertigung. Altera will damit den Zugang zu seinen programmierbaren Bausteinen erweitern und Kunden einen weiteren Beschaffungskanal eröffnen.


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SEMI Europe beteiligt sich an ReSiLient für neue Silizium- und SiC-Rohstoffwege

Der Halbleiterbranchenverband SEMI Europe schließt sich dem 9,57 Millionen Euro schweren ReSiLient-Projekt für neue europäische Silizium- und Siliziumkarbid-Rohstoffquellen an. Das geht aus einer Mitteilung des Verbands vom 14. September hervor. Das Konsortium will heimische Mineralquellen und industrielle Reststoffe prüfen und daraus neue Produktionswege für Halbleiterrohstoffe entwickeln. Ziel ist eine widerstandsfähigere europäische Versorgung mit Silizium und SiC.


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