Infineon erreicht Meilenstein bei 300-Millimeter-SiC-Wafern
Infineon Technologies hat an seinem Standort in Villach, Österreich, erstmals funktionsfähige Leistungshalbleiter auf 300-Millimeter-Siliziumkarbid-Wafern (SiC) hergestellt. Nach Unternehmensangaben ist Infineon damit der erste Halbleiterhersteller, dem dieser Schritt unter realen Fertigungsbedingungen gelungen ist. Die Technologie könnte künftig eine effizientere Produktion von SiC-Leistungshalbleitern für Elektrofahrzeuge, Industrieanwendungen und KI-Rechenzentren ermöglichen.
Wie Infineon am 9. November 2026 mitteilte, wurden die 300-Millimeter-SiC-Wafer mithilfe bestehender Fertigungsanlagen für Silizium erfolgreich zu funktionsfähigen Leistungsbauelementen verarbeitet. Damit hat das Unternehmen einen wichtigen Schritt zur möglichen industriellen Fertigung von SiC-Halbleitern auf größeren Wafern erreicht.
Der größere Waferdurchmesser bietet erhebliche Vorteile bei der Produktion. Im Vergleich zu 200-Millimeter-Wafern können auf einem 300-Millimeter-Wafer laut Infineon etwa 2,3-mal so viele Chips gefertigt werden. Dadurch eröffnet die Technologie langfristig Potenzial für eine effizientere und kostengünstigere Halbleiterproduktion.
„Dieser technologische Meilenstein stärkt unsere Führungsposition im Bereich der Power Systems weiter. Ich gratuliere unserem engagierten Team und bedanke mich für den bedeutenden Schritt, 300-Millimeter-SiC aus dem Labor in eine Fertigungsumgebung zu bringen“, erklärte Jochen Hanebeck, Vorstandsvorsitzender von Infineon Technologies.
Mit der erfolgreichen Verarbeitung von 300-Millimeter-SiC-Wafern sieht sich Infineon in einer guten Position, seine Halbleiterfertigung künftig weiter zu skalieren. Das Unternehmen beherrscht damit nach eigenen Angaben die Verarbeitung von Silizium, Galliumnitrid (GaN) und Siliziumkarbid auf 300-Millimeter-Wafern.
SiC-Technologie für Elektromobilität und KI-Rechenzentren
Siliziumkarbid gilt als wichtiges Material für energieeffiziente Leistungshalbleiter. Im Vergleich zu herkömmlichem Silizium ermöglicht SiC geringere Leistungsverluste, höhere Leistungsdichten und einen effizienten Betrieb bei hohen Spannungen und Temperaturen.
Entsprechende Halbleiter kommen unter anderem in Wechselrichtern für Elektrofahrzeuge, On-Board-Ladegeräten, Schnellladestationen, Energiespeichern und industriellen Antriebssystemen zum Einsatz.
Auch in KI-Rechenzentren gewinnt die Technologie an Bedeutung. Dort können SiC-Leistungshalbleiter beispielsweise in Solid-State-Transformatoren, Leistungsschaltern und Stromversorgungssystemen eingesetzt werden.
Infineon will die weitere Entwicklung der 300-Millimeter-SiC-Technologie sowie den Zeitpunkt eines möglichen Produktionshochlaufs eng mit Kunden und Partnern abstimmen. Parallel dazu setzt das Unternehmen seine bestehende Roadmap für die Fertigung auf 200-Millimeter-SiC-Wafern fort.
Cold-Split-Technologie in Dresden erfolgreich getestet
Neben dem Fortschritt in Villach meldet Infineon einen weiteren technologischen Erfolg am Standort Dresden. Dort konnte das Unternehmen die Machbarkeit seiner sogenannten Cold-Split-Technologie für 300-Millimeter-SiC-Wafer nachweisen.
Mit diesem Verfahren lassen sich Wafer von einem Siliziumkarbidkristall abtrennen. Im Vergleich zum herkömmlichen Drahtsägen reduziert die Technologie laut Infineon den Materialverlust und verkürzt die Bearbeitungszeit erheblich.
Dadurch können aus demselben Kristall mehr Wafer gewonnen werden, was langfristig die Materialausnutzung verbessern und den Investitionsbedarf reduzieren könnte.
Die Entwicklungen in Villach und Dresden sollen Infineon dabei unterstützen, seine SiC-Fertigung entsprechend der künftigen Marktnachfrage auszubauen.
Infineon investiert weiter in 300-Millimeter-Technologien
Der technologische Fortschritt bei Siliziumkarbid folgt auf eine weitere Investitionsankündigung des Unternehmens. Am 27. Oktober 2026 hatte Infineon mitgeteilt, rund 1,1 Milliarden Euro in die Hochvolumenfertigung von Galliumnitrid-Leistungshalbleitern auf 300-Millimeter-Wafern am Standort Villach investieren zu wollen.
Mit dem erfolgreichen Nachweis der SiC-Prozessierung erweitert Infineon seinen 300-Millimeter-Ansatz nun auf ein weiteres Wide-Bandgap-Halbleitermaterial.
Den ersten prozessierten 300-Millimeter-SiC-Wafer will das Unternehmen auf der Fachmesse electronica 2026 präsentieren, die vom 10. bis 13. November in München stattfindet.
