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Elektronikproduktion | 31 März 2011

PARC produziert InGaAlN-Laser und LEDs mit Aixtron CCS

PARC – ein Xerox-Unternehmen mit Sitz in Palo Alto, Kalifornien, USA – hat eine Close Coupled Showerhead MOCVD-Anlage von Aixtron bestellt.

Die Anlage umfasst das vollständige Leistungsspektrum, wie das In-Situ Multi-Channel-Pyrometer ARGUS, hohe Wachstumtemperaturen sowie einstellbare Reaktorhöhe, die optimale Bedingungen für die Herstellung von (Al)GaN in einem weiten Druckbereich ermöglicht. Die 3x2-Zoll Close Coupled Showerhead-Anlage wurde im vierten Quartal 2010 bestellt. Nach der Auslieferung im zweiten Quartal 2011 wird PARC diese für die Herstellung InGaAIN2-basierter LEDs, Laserdioden und elektronischer Bauelemente einsetzen. Ein Serviceteam von AIXTRON Inc. wird die neue Anlage in einer speziellen Einrichtung in PARCs Forschungsabteilung für elektronische Materialien und Bauteile in Betrieb nehmen. „Für die laufenden Forschungsaktivitäten benötigen wir eine zukunftsfähige MOCVD-Anlage mit modernsten Funktionalitäten, mit der unser Team eine große Bandbreite optoelektronischer Materialien und Bauelemente entwickeln kann", sagt Jennifer Ernst, Leiterin Geschäftsentwicklung bei PARC. „Die AIXTRON Anlage hat eine gute Marktverbreitung und passt exakt auf unser Anforderungsprofil." ----- MOCVD, Metal Organic Chemical Vapor Deposition = Metall-organische Gasphasenabscheidung GaN/(Al)GaN/InGaAIN = Galliumnitrid/Aluminium-Galliumnitrid/Indium-Gallium-Aluminiumnitrid
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