Anzeige
Anzeige
Anzeige
Anzeige
Anzeige
Anzeige
Anzeige
Anzeige
Elektronikproduktion | 18 Januar 2011

AIXTRON: Graphen auf SiC mit horizontalem Heißwandreaktor

Das Forschungs- und Entwicklungszentrum eines großen Unternehmens im Nordosten der USA hat eine Siliziumkarbid CVD-Anlage von AIXTRON bestellt.
Die Anlage – eine 1x4-Zoll VP508GFR – wird mit einem doppelten horizontalen Heißwandreaktor geliefert, der aufgrund des Gas Foil Rotation-Prinzips(1) sehr gute Waferhomogenität und Hochtemperaturprozesse ermöglicht.

Die Bestellung erfolgte im dritten Quartal 2010. Nach der Auslieferung im zweiten Quartal 2011 wird das AIXTRON Service-Team USA die Anlage vor Ort installieren und in Betrieb nehmen.

„Die Verleihung des Physik-Nobelpreises für Graphen an Andre Geim und Konstantin Novoselov ist eine erfreuliche Nachricht angesichts der bevorstehenden Auslieferung", erklärt Dr. Frank Wischmeyer, Vice President und Managing Director von AIXTRON AB. „Graphen ist ein einzigartiges Material mit hoher Mobilität der Ladungsträger und großem Potenzial als Kanalmaterial für künftige Bauelemente im Hochfrequenzbereich sowie für integrierte Schaltungen."

Die in ähnlichen Forschungsprojekten bereits erprobte AIXTRON VP508GFR-Anlage wird für epitaktisches Wachstum von Siliziumkarbid eingesetzt. Die hergestellten SiC-Strukturen werden anschließend in Graphen-Monoschichten umgewandelt.

Die VP508GFR-Anlage mit horizontalem Heißwandreaktor hat eine Kapazität von 4-Zoll-Wafern (1x6-Zoll optional) für Forschung und Entwicklung sowie für die Kleinserienproduktion. Die doppelte Kammerkonfiguration führt dabei zu einer besonders hohen Produktivität der Anlage.

(1) Gas Foil Rotation = Der Substratträger rotiert durch gezielte Gasströmung

Kommentare

Kritische Kommentare sind erlaubt und auch erwünscht. Diskussionen sind willkommen. Beschimpfungen, Beleidigungen und rassistische / homophobe und verletzende Äusserungen sind nicht erlaubt und werden entfernt.
Weiterführende Erläuterungen finden Sie hier.
Weitere Nachrichten
2018.06.15 00:12 V9.6.1-1