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Elektronikproduktion | 18 Januar 2011

AIXTRON: Graphen auf SiC mit horizontalem Heißwandreaktor

Das Forschungs- und Entwicklungszentrum eines gro├čen Unternehmens im Nordosten der USA hat eine Siliziumkarbid CVD-Anlage von AIXTRON bestellt.
Die Anlage ÔÇô eine 1x4-Zoll VP508GFR ÔÇô wird mit einem doppelten horizontalen Hei├čwandreaktor geliefert, der aufgrund des Gas Foil Rotation-Prinzips(1) sehr gute Waferhomogenit├Ąt und Hochtemperaturprozesse erm├Âglicht. Die Bestellung erfolgte im dritten Quartal 2010. Nach der Auslieferung im zweiten Quartal 2011 wird das AIXTRON Service-Team USA die Anlage vor Ort installieren und in Betrieb nehmen. ÔÇ×Die Verleihung des Physik-Nobelpreises f├╝r Graphen an Andre Geim und Konstantin Novoselov ist eine erfreuliche Nachricht angesichts der bevorstehenden Auslieferung", erkl├Ąrt Dr. Frank Wischmeyer, Vice President und Managing Director von AIXTRON AB. ÔÇ×Graphen ist ein einzigartiges Material mit hoher Mobilit├Ąt der Ladungstr├Ąger und gro├čem Potenzial als Kanalmaterial f├╝r k├╝nftige Bauelemente im Hochfrequenzbereich sowie f├╝r integrierte Schaltungen." Die in ├Ąhnlichen Forschungsprojekten bereits erprobte AIXTRON VP508GFR-Anlage wird f├╝r epitaktisches Wachstum von Siliziumkarbid eingesetzt. Die hergestellten SiC-Strukturen werden anschlie├čend in Graphen-Monoschichten umgewandelt. Die VP508GFR-Anlage mit horizontalem Hei├čwandreaktor hat eine Kapazit├Ąt von 4-Zoll-Wafern (1x6-Zoll optional) f├╝r Forschung und Entwicklung sowie f├╝r die Kleinserienproduktion. Die doppelte Kammerkonfiguration f├╝hrt dabei zu einer besonders hohen Produktivit├Ąt der Anlage. (1) Gas Foil Rotation = Der Substrattr├Ąger rotiert durch gezielte Gasstr├Âmung
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