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Elektronikproduktion | 07 Juli 2010

Silan investiert in Aixtron CRIUS II Anlagen

Die Aixtron AG hat im 2Q/2010 eine Bestellung ĂŒber 6 CRIUS II Anlagen in einer 55x2-Zoll-Konfiguration von der Hangzhou Silan Microelectronics Co., Ltd. erhalten.
Das in Hangzhou, China, angesiedelte Unternehmen erhĂ€lt die Anlagen zwischen 4Q/2010 und 1Q/2011 und wird diese fĂŒr die Massenproduktion von GaN-basierenden ultrahellen blauen und grĂŒnen LEDs einsetzen. Jiang Zhongyong, GeschĂ€ftsfĂŒhrer Silan Azure, plant eine KapazitĂ€tssteigerung fĂŒr nitridbasierte LED-Wafer: "Es war naheliegend, hier die neue CRIUS II Technologie einzusetzen, die entscheidende Vorteile in Form höherer Wachstumsraten bei hohem Prozessdruck und mehr als doppelt so hoher ProduktivitĂ€t bietet. Ich bin sicher, dass die Anlage unsere Anforderungen auch in Bezug auf Prozesssteuerung, homogene Beschichtung, Dotierung und Schichtzusammensetzung erfĂŒllen wird. Dank unserer guten GeschĂ€ftsbeziehungen und der schnellen Reaktionszeiten des Aixtron Teams können wir von einem optimalen Verlauf bei Installation und Betrieb der neuen CRIUS-Anlage in unserer ProduktionsstĂ€tte in Hangzhou ausgehen."
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