Aixtron liefert weitere Maschinen an Yangzhou Zhongke

Das lokale Aixtron Serviceteam wird die Anlagen im zweiten Quartal 2010 am unternehmenseigenen Forschungsinstitut ISCAS in Betrieb nehmen, die für die Herstellung GaN-basierender HB-LEDs zur Straßen- und Display-Hintergrundbeleuchtung eingesetzt werden. Damit reagiere das Unternehmen auf die Notwendigkeit zur Kapazitätssteigerung, erklärt Geschäftsführer Dr. Wang GuoHong. „Das ISCAS-Forschungsteam ist mit der Leistungsfähigkeit der ersten Aixtron Anlage sehr zufrieden, nun gilt es, dieses Potenzial – hohe Produktivität und leichter Bedienbarkeit bei niedrigen Betriebskosten – zu verstärken." ----- MOCVD, Metal Organic Chemical Vapor Deposition = Metall-organische Gasphasenabscheidung ISCAS, The Institute of Software, Chinese Academy of Sciences GaN, Galliumnitrid HB, High Brightness LEDs = Sehr helle LEDs