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Elektronikproduktion | 31 Mai 2010

LDX investiert in Aixtron MOCVD-Anlagen

Das chinesische Joint Venture und Aixtron Neukunde LDX (LongDeXin) hat im 1Q/2010 zwei CRIUS-Anlagen in einer 31x2-Zoll-Konfiguration zur Herstellung GaN-basierter HB-LEDs bestellt.

Der Zusammenschluss der chinesischen Zhejiang Longfei Industry Co., Ltd. mit der Delixi Holding Group Co., Ltd. wurde im Oktober 2009 mit dem Ziel der strategischen Kooperation gegründet. Die neuen Anlagen werden im 2Q/2010 durch das lokale Aixtron Serviceteam in LDX´ neuer Produktionsstätte in Shanghai installiert und in Betrieb genommen. „Diese strategische Investition wird uns den Markteintritt in die Display- und Hintergrundbeleuchtung sichern" ist der bei LDX verantwortliche LED-Projektmanager Lin Loufei überzeugt. „Voraussetzung ist, dass wir in der Lage sind, waferbasierende Materialien für HB-LEDs zügig eigenständig zu entwickeln. Hier profitieren wir von Aixtrons Erfahrung und technologischem Know-how. Der Erfolg des Vorhabens hängt entscheidend von den neuen MOCVD-Anlagen ab, weshalb wir der Zusammenarbeit gespannt entgegen sehen, um die neuen Anlagen schnell und effizient in Produktion zu bringen," so der Manager weiter. ----- HB-LEDs, High Brightness LEDs = sehr helle LEDs
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