Sonderpreis für Photovoltaik-Wechselrichter mit Weltrekord-Wirkungsgrad

Professor Bruno Burger, Leiter der Gruppe Leistungselektronik, nahm die Auszeichnung gemeinsam mit seinen Kollegen Dipl.-Ing. Dirk Kranzer, Dipl.-Ing. Florian Reiners und Dipl.-Ing. Christian Wilhelm in Donaueschingen entgegen. Der zum zweiten Mal von der Stiftung Ewald Marquardt ausgelobte Zukunftspreis zeichnet in mehreren Kategorien Ideen und innovative Gestaltungen auf dem Gebiet der elektrischen Schalt-, Steuerungs- und Regelungstechnik aus. Prämiert werden Entwicklungen und ihre industrielle Umsetzung aus der Region zwischen Schwarzwald und Bodensee, dem Regierungsbezirk Freiburg. Damit soll der einheimische Mittelstand gezielt unterstützt werden. Initiator des Preises ist Dipl.-Ing. Ewald Marquardt, der bis 2005 Vorsitzender des Aufsichtsrats der Rietheimer Firma Marquardt war. Verluste um ein weiteres Drittel reduziert Bruno Burger und sein Team hatten am Fraunhofer ISE im Juli mit 99,03 Prozent einen neuen Weltrekord für den Wirkungsgrad von Photovoltaik-Wechselrichtern aufgestellt. Durch den Einsatz neuer Bauelemente und Verbesserungen in der Schaltungstechnik hatten die Forscher damit die Verluste gegenüber ihrer eigenen Bestleistung um ein weiteres Drittel reduziert. Ein wesentlicher Schritt auf dem Weg zum Weltrekord war die Verwendung von Sperrschicht-Transistoren (JFETs) aus Siliciumcarbid (SiC) des Unternehmens SemiSouth. Diese Bauelemente sind insbesondere bei höheren Sperrspannungen den heute üblichen IGBTs aus Silicium (Si) deutlich überlegen. Ausschlaggebend dafür ist die fast zehnfache Durchbruchfeldstärke und der etwa dreifache Bandabstand von SiC gegenüber Si. Einsparungen helfen, den höheren Preis der neuen Bauelemente zu kompensieren Der Weltrekord wurde an einem kompletten PV-Wechselrichter gemessen, inklusive dem Netzteil zur Eigenversorgung, einem digitalen Signalprozessor (DSP) zur Regelung, einem LCL Netzfilter und einem Relais zur Netzkopplung. Bei der Übertragung der Ergebnisse auf die Serienfertigung ergeben sich weitere Vorteile: Höhere Effizienz bedeutet auch weniger Verlustwärme, kleinere Kühlkörper und kompaktere Bauweise. Diese Einsparungen helfen auch, den höheren Preis der neuen Bauelemente zu kompensieren. Ihr Potenzial wird aber auch dadurch erhöht, dass Transistoren aus SiC immer besser und kostengünstiger werden, während die Kosten für passive Bauelemente, die insbesondere Kupfer und andere Metalle enthalten, stetig steigen.