HRL Laboratories setzt auf Aixtron CCS MOCVD-Anlage

Der Auftrag wurde im dritten Quartal 2009 erteilt, die Auslieferung der Anlage wird im ersten Quartal 2010 erfolgen. Mit der neuen MOCVD-Anlage will HRL seine Entwicklungsarbeit auf dem Gebiet moderner GaN-Technologien vorantreiben – etwa die Herstellung von GaN (Galliumnitrid)-Strukturen für Millimeterwellen-Leistungsanwendungen und GaN-Hochspannungstransistoren für Leistungsschalter-Anwendungen. „Der hohe Leistungs- und Entwicklungsstandard der Aixtron CCS MOCVD-Anlage entspricht zu hundert Prozent unseren Anforderungen: niedriger Trägergasverbrauch, effiziente Materialnutzung und einfache Wartung, um nur einige zu nennen", resümiert ein Mitarbeiter aus dem GaN-Forschungsteam bei HRL. „Die CCS-Anlage ist weltweit in großer Zahl erfolgreich installiert und dank ihrer guten Skalierbarkeit können wir Prozesse auch auf ein großes System übertragen. Auf diese Weise werden wir unsere GaN-Kapazitäten beträchtlich steigern und anspruchsvollere GaN HEMT-Strukturen mit höheren Prozessdurchlaufraten erzielen." ----- MOCVD, Metal Organic Chemical Vapor Deposition = Metall-organische Gasphasenabscheidung HEMTs, High Electron Mobility Transistor = Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit MMICs, Monolithic Microwave Integrated Circuits = monolithisch integrierte Mikrowellen-Schaltkreise