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Elektronikproduktion | 25 November 2009

HRL Laboratories setzt auf Aixtron CCS MOCVD-Anlage

Das US-amerikanische Forschungsinstitut HRL Laboratories LLC mit Sitz in Malibu hat einen Auftrag ├╝ber eine Close Coupled Showerhead-Anlage in einer 6x2-Zoll-Konfiguration platziert.
Der Auftrag wurde im dritten Quartal 2009 erteilt, die Auslieferung der Anlage wird im ersten Quartal 2010 erfolgen. Mit der neuen MOCVD-Anlage will HRL seine Entwicklungsarbeit auf dem Gebiet moderner GaN-Technologien vorantreiben ÔÇô etwa die Herstellung von GaN (Galliumnitrid)-Strukturen f├╝r Millimeterwellen-Leistungsanwendungen und GaN-Hochspannungstransistoren f├╝r Leistungsschalter-Anwendungen. ÔÇ×Der hohe Leistungs- und Entwicklungsstandard der Aixtron CCS MOCVD-Anlage entspricht zu hundert Prozent unseren Anforderungen: niedriger Tr├Ągergasverbrauch, effiziente Materialnutzung und einfache Wartung, um nur einige zu nennen", res├╝miert ein Mitarbeiter aus dem GaN-Forschungsteam bei HRL. ÔÇ×Die CCS-Anlage ist weltweit in gro├čer Zahl erfolgreich installiert und dank ihrer guten Skalierbarkeit k├Ânnen wir Prozesse auch auf ein gro├čes System ├╝bertragen. Auf diese Weise werden wir unsere GaN-Kapazit├Ąten betr├Ąchtlich steigern und anspruchsvollere GaN HEMT-Strukturen mit h├Âheren Prozessdurchlaufraten erzielen." ----- MOCVD, Metal Organic Chemical Vapor Deposition = Metall-organische Gasphasenabscheidung HEMTs, High Electron Mobility Transistor = Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit MMICs, Monolithic Microwave Integrated Circuits = monolithisch integrierte Mikrowellen-Schaltkreise
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