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Elektronikproduktion | 26 Oktober 2009

Dow Corning nutzt Aixtron Planetary Reactor-Technologie

Das amerikanische Unternehmen Dow Corning verstärkt seine Siliziumkarbid-Epitaxiekapazitäten mit dem neusten Typ einer Aixtron Planetary Reactor-Anlage, einer AIX 2800G4 WW. Die Anlage (mit einer Waferkapazität von anfänglich 10x100mm und zukünftig 6x150mm) soll im 2Q/2010 in Betrieb genommen werden.

Dr. Mark Loboda, wissenschaftlicher und technischer Leiter bei Dow Corning Compound Semiconductor Solutions: „Nach profunder Marktanalyse haben wir uns für die AIX 2800G4 WW von Aixtron entschieden, da sie uns in die Lage versetzt, Epitaxieschichten mit bester Homogenität und Morphologie sowie geringer Defektdichte herzustellen. Dank der damit gesteigerten Fertigungskapazität und der 150mm-Fähigkeit der Anlage werden wir auch die zukünftigen Kundenanforderungen an SiC-Bauelemente für die Hochleistungselektronik bedienen können." Ergänzend äußerte sich Dr. Frank Wischmeyer, Vice President und Managing Director Aixtron AB, Schweden: „Die Leistungsfähigkeit der Anlage wurde durch Design-Optimierungen wie dem zentralen wassergekühlten Dreifach-Gaseinlass, stabileren Prozessabläufen und vereinfachter Handhabung bei Wartungsarbeiten gesteigert. Auf Basis des bewährten Aixtron IC-Designs nutzt die AIX 2800G4 WW die gleiche Plattform wie weltweit über 300 installierte Systeme."
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