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Elektronikproduktion | 26 Oktober 2009

Dow Corning nutzt Aixtron Planetary Reactor-Technologie

Das amerikanische Unternehmen Dow Corning verst√§rkt seine Siliziumkarbid-Epitaxiekapazit√§ten mit dem neusten Typ einer Aixtron Planetary Reactor-Anlage, einer AIX 2800G4 WW. Die Anlage (mit einer Waferkapazit√§t von anf√§nglich 10x100mm und zuk√ľnftig 6x150mm) soll im 2Q/2010 in Betrieb genommen werden.
Dr. Mark Loboda, wissenschaftlicher und technischer Leiter bei Dow Corning Compound Semiconductor Solutions: ‚ÄěNach profunder Marktanalyse haben wir uns f√ľr die AIX 2800G4 WW von Aixtron entschieden, da sie uns in die Lage versetzt, Epitaxieschichten mit bester Homogenit√§t und Morphologie sowie geringer Defektdichte herzustellen. Dank der damit gesteigerten Fertigungskapazit√§t und der 150mm-F√§higkeit der Anlage werden wir auch die zuk√ľnftigen Kundenanforderungen an SiC-Bauelemente f√ľr die Hochleistungselektronik bedienen k√∂nnen." Erg√§nzend √§u√üerte sich Dr. Frank Wischmeyer, Vice President und Managing Director Aixtron AB, Schweden: ‚ÄěDie Leistungsf√§higkeit der Anlage wurde durch Design-Optimierungen wie dem zentralen wassergek√ľhlten Dreifach-Gaseinlass, stabileren Prozessabl√§ufen und vereinfachter Handhabung bei Wartungsarbeiten gesteigert. Auf Basis des bew√§hrten Aixtron IC-Designs nutzt die AIX 2800G4 WW die gleiche Plattform wie weltweit √ľber 300 installierte Systeme."
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