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Elektronikproduktion | 23 September 2009

IISc bestellt Aixtron MOCVD-Anlage

Das Indian Institute of Science (IISc) hat im 3Q/2009 eine AIX 200/4 RF-S MOCVD-Forschungsanlage bestellt. Sie wird im Q1/2010 ausgeliefert und in der neuen Forschungseinrichtung für NanoEngineering in Bangalore in Betrieb genommen.

„Wir werden die neue Aixtron-Anlage zur Abscheidung homogen dotierter Aluminium-, Indium- und Galliumnitridschichten (AIN, InN, GaN) auf 2 und 3 Zoll Saphir- und Silizium-Substraten einsetzen“, erläutert Dr. Srinivasan Raghavan, Dozent am Materials Research Center (MRC) des IISc. „Aus diesen Erkenntnissen wollen wir anschließend das Verfahren für eine Reihe moderner Anwendungen, wie weiße UHB LEDs, Solarzellen, Laser und Transistoren entwickeln. Insbesondere interessiert uns dabei der grundlegende Zusammenhang zwischen der Materialverspannung und dem Auftreten von Defekten während des Kristallwachstums. Die AIX 200/4 RF-S zählt zu den weltweit führenden MOCVD-Anlagen und wird uns einen großen Schritt voranbringen. Aixtron ist ein verlässlicher Partner, der über seine exzellente Forschungsanlage hinaus schnelle Reaktionszeiten und operatives Know-how bietet. Wir freuen uns auf eine intensive technische Kooperation, von deren Synergien alle Beteiligten profitieren werden.“ ----- MOCVD, Metal Organic Chemical Vapor Deposition = Metall-organische Gasphasenabscheidung
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2019.06.17 21:26 V13.3.21-2