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Elektronikproduktion | 21 September 2009

Nanjing University bestellt Aixtron MOCVD-Anlage

Das Institute of Optoelectronics (IOE) der chinesischen Nanjing University in Yangzhou hat eine AIX 2400G3 HT MOCVD-Anlage erhalten. Die Anlage dient der Entwicklung von ultrahellen (UHB) LEDs auf Basis von InGaN/GaN und wurde im ersten Halbjahr 2009 ausgeliefert.

Professor Dr. Chen Peng, Professor und Direktor des IOE, erläutert: „Nach einem intensiven Vergleich aller verfügbaren Systeme und nach Expertengesprächen vor Ort hat sich die Aixtron-Anlage als erste Wahl für unsere GaN-LED-Forschung erwiesen. Mit der Anlage erweitern wir unsere Kapazitäten und konzentrieren uns auf aktuelle LED-Forschung und -Technologie. Die Anlage erfüllt all unsere Erwartungen hinsichtlich Effizienz und Verlässlichkeit.“ Das Institute of Optoelectronics in Yangzhou wurde aufgrund einer Kooperationsvereinbarung der Stadt Yangzhou und der Nanjing Universität im Dezember 2007 als Forschungseinrichtung gegründet. Es befindet sich im Yangzhou High-tech Venture Services Center auf einer Fläche von 1500 m2. Der Schwerpunkt des Instituts liegt in der Erforschung des Schichtenwachstums, der Prozessentwicklung und Entwicklung von neuartigen opto-elektronischen Bauelementen. Das Institut ist mit Blick auf diese Spitzentechnologie ein wichtiger Forschungs- und Entwicklungsstandort in Yangzhou. ----- MOCVD, Metal Organic Chemical Vapor Deposition = Metall-organische Gasphasenabscheidung UHB-LEDs, Ultra High Brightness LEDs = ultrahelle Leuchtdioden
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