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Elektronikproduktion | 20 Mai 2009

INER beauftragt weitere Aixtron MOCVD-Anlage für Solarzellen

Das Institute of Nuclear Energy Research (INER) in Taiwan hat im ersten Quartal 2009 eine weitere AIX 2800G4 Planetary Reactor-Anlage für die Herstellung von Solarzellen auf Basis von III-V-Verbindungshalbleitern auf Germanium bestellt.

Diese zweite MOCVD-Anlage, die ebenfalls in einer Konfiguration von 15x4 Zoll ausgeliefert wird, bietet die Option, Wafer in einer Größe von maximal 8 Zoll zu verwenden. Die Lieferung an INER ist für das zweite Quartal 2009 geplant. Beide Anlagen werden im Rahmen des Forschungsprogramms für Konzentrator-Solarzellen mit hohem Konzentrationsgrad eingesetzt, in dem die benötigten Halbleiterstrukturen hergestellt werden. Dr. Cherng-Tsong Kuo, Leiter des Projekts „High Concentration Photovoltaic System Research and Development“, kommentiert: „Die zweite AIX 2800G4-Anlage konnten wir kaufen, weil wir ein zusätzliches Budget für MOCVD-Anlagen bewilligt bekommen haben. Damit können wir die Forschungsarbeit vom Herstellungsprozess trennen. Aixtron-Anlagen haben einen hervorragenden Ruf, was die Herstellung von Materialien für Solarzellen angeht. Die Qualität der Anlagen wird unterstützt durch das Aixtron Team vor Ort, das sich sehr verantwortlich zeigt. Wir sehen einer guten Zusammenarbeit in den kommenden Monaten entgegen.“ INER befasst sich seit vielen Jahren mit der technologischen Entwicklung von III-V Solarzellen, Modulen und Solar-Tracking-Anlagen. In Zusammenarbeit mit Unternehmen vor Ort hat INER bereits einen Prototypen erstellt, der über eine Energieumwandlungs-Effizienz von über 35% verfügt. Hiervon ausgehend wird der Epitaxieprozess für die Herstellung von Solarzellen weiterentwickelt hin zu einer Effizienz von 45%. ----- MOCVD, Metal Organic Chemical Vapor Deposition = Metall-organische Gasphasenabscheidung
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