Nexperia nutzt AIXTRON für 200mm SiC- und GaN-Power
AIXTRON unterstützt Nexperia beim Ausbau seiner 200mm-Volumenproduktion für Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) Leistungsbauelemente. Der Halbleiterkonzern hat sich für einen Folgeauftrag für AIXTRONs G10-SiC entschieden, ergänzt durch eine weitere Bestellung für AIXTRONs G10-GaN-Anlagengeneration.
Mit den Anlagen von AIXTRON werden sowohl GaN- als auch SiC-Epitaxie-Schichten für die Entwicklung energieeffizienter Feldeffekt- (FET) oder Metall-Oxid-Feldeffekt-Transistoren (MOSFET) der nächsten Generation hergestellt. Sie kommen in verschiedenen Energieumwandlungsanwendungen, beispielsweise in Rechenzentren, Solarwechselrichtern, Elektrofahrzeugen oder Zügen – zum Einsatz.
Nexperia verfügt über jahrzehntelange Erfahrung in der Entwicklung von Leistungsbauelementen und erzielte im Jahr 2023 einen Umsatz von mehr als 2,1 Milliarden USD. Das Unternehmen hat im Jahr 2019 seinen ersten GaN-FET auf den Markt gebracht, gefolgt im Jahr 2023 vom ersten SiC-MOSFET. Nexperia erweitert sein Portfolio kontinuierlich um neue hochzuverlässige und energieeffiziente Bauelemente.
Der Halbleiterkonzern hat seinen Hauptsitz im niederländischen Nijmegen und betreibt Fabriken in Hamburg und im Großraum Manchester. Die AIXTRON-Epitaxie-Anlagen werden in der Nexperia-Wafer Fab in Hamburg installiert und stärken die Halbleiter-Produktionskapazitäten in der Region weiter. Das Unternehmen produziert dort jährlich rund 100 Milliarden diskrete Halbleiter, was etwa einem Viertel der weltweiten Produktion dieser Bauelement-Typen entspricht.
„Wir freuen uns sehr, dass sich mit Nexperia ein zentraler Akteur in der Halbleiterindustrie für unsere Anlagen entschieden hat. Mit unseren G10-Epitaxie-Lösungen kann Nexperia die eigene Wachstumsstrategie mit der Großserienproduktion von Wide-Bandgap-Halbleitern für kommerzielle Anwendungen umsetzen. Gemeinsam geben wir dabei den Takt für den Übergang der Industrie zu energieeffizienteren SiC- und GaN-Lösungen vor“, sagt Dr. Felix Grawert, Vorstandsvorsitzender der AIXTRON SE.
„Unsere strategische Partnerschaft mit AIXTRON ist für uns von großer Bedeutung, da wir unsere technologischen Fähigkeiten und unsere Marktpräsenz im Bereich der Hochleistungs-Halbleiterproduktion weiter ausbauen. Die Integration der G10-Anlagen wird unsere Entwicklungs- und Produktionskapazitäten für die Wide-Bandgap-Technologie deutlich verbessern. Wir bauen auf AIXTRONs bewährte Homogenität und nutzen die zusätzlichen Produktivitätsgewinne von AIXTRONs G10-Anlagen, um unsere Produktion effizient und kostengünstig zu steigern. Mit den neuen G10-Anlagen in unserer Hamburger Fab können wir unsere Produktionskapazitäten weiter ausbauen", so Achim Kempe, COO bei Nexperia B.V.
