Toshiba stellt 300-Millimeter-Wafer-Standort fertig
Die Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation hat die Fertigstellung eines neuen 300-Millimeter-Wafer-Produktionsstandorts für Leistungshalbleiter und eines Bürokomplexes der Kaga Toshiba Electronics Corporation in der japanischen Präfektur Ishikawa gefeiert. Der Abschluss der Baumaßnahmen sei ein wichtiger Meilenstein für die Phase 1 des mehrjährigen Investitionsprogramms von Toshiba, schreibt der Konzern.
Toshiba will nun mit der Installation der Anlagen fortfahren, um in der zweiten Hälfte des Geschäftsjahres 2024 die Massenproduktion zu starten. Bei Erreichen des Phase-1-Vollbetriebs werde die Produktionskapazität von Toshiba für Leistungshalbleiter – überwiegend MOSFETs und IGBTs – 2,5-mal so hoch sein wie 2021, als der Investitionsplan erstellt wurde. Die Entscheidungen im Zusammenhang mit dem Bau und der Inbetriebnahme von Phase 2 werden abhängig von der Marktentwicklung getroffen.
Die neue Produktionsstätte soll einen wichtigen Beitrag zur Umsetzung des Business Continuity Plan von Toshiba leisten. Sie verfügt über eine erdbebensichere Struktur, um Erschütterungen zu absorbieren, sowie über eine redundante Stromversorgung. Um die Produktqualität und die Produktionseffizienz zu steigern, wird künstliche Intelligenz eingesetzt. Toshiba erwartet Fördermittel des japanischen Ministeriums für Wirtschaft, Handel und Industrie zur Subventionierung seiner Aufwendungen für einen Teil der Produktionsanlagen.
In der zweiten Hälfte des Geschäftsjahres 2022 hatte Toshiba mit der Produktion von Leistungshalbleitern auf einer neuen Produktionslinie für 300-Millimeter-Wafer im bestehenden Werk von Kaga Toshiba Electronics begonnen. Mit der neuen Produktionsstätte werde das Unternehmen die Wafer-Herstellung weiter erhöhen und einen noch größeren Beitrag zur Klimaneutralität leisten, heißt es abschließend.
