Samsung startet Produktion von 3nm-Prozessknoten mit GAA
Samsung Electronics hat die Produktion seines 3-Nanometer-Prozessknotens mit Gate-All-Around (GAA)-Transistorarchitektur begonnen. Wie das Unternehmen mitteilt, erreicht der neue optimierte 3-nm-Prozess einen um 45 Prozent geringeren Stromverbrauch, eine um 23 Prozent verbesserte Leistung und eine um 16 Prozent kleinere Oberfläche im Vergleich zum 5-nm-Prozess.
Der Multi-Bridge-Channel-FET (MBCFET), Samsungs erstmals eingesetzte GAA-Technologie, setzt sich laut Pressemitteilung über die Leistungsbeschränkungen des FinFET hinweg und verbessert die Energieeffizienz durch eine geringere Versorgungsspannung bei gleichzeitiger Leistungssteigerung durch eine höhere Stromaufnahme, heißt es weiter.
Beim 3nm-Prozess der zweiten Generation hofft Samsung den Stromverbrauch um bis zu 50 Prozent zu senken, die Leistung um 30 Prozent zu verbessern und die Fläche um 35 Prozent zu reduzieren.
Samsung beginnt mit der ersten Anwendung des Nano-Sheet-Transistors bei Halbleiterchips für Hochleistungscomputer mit geringem Stromverbrauch und plant eine Ausweitung auf mobile Prozessoren.
"Samsung ist schnell gewachsen, da wir weiterhin unsere Führungsrolle bei der Anwendung von Technologien der nächsten Generation in der Fertigung unter Beweis stellen wollen, wie beispielsweise das erste High-K Metal Gate der Foundry-Industrie, FinFET, sowie EUV. Mit dem MBCFET, dem weltweit ersten 3nm-Prozess, wollen wir diese Führungsrolle fortsetzen. Wir setzen auf die aktive Innovation in der Entwicklung wettbewerbsfähiger Technologien und wollen Prozesse aufbauen, die dazu beitragen, die Leistungsfähigkeit der Technologie zu beschleunigen, sagt Dr. Siyoung Choi, Präsident und Leiter des Foundry-Geschäfts bei Samsung Electronics.
