Vitesco setzt bei SiC-Leistungshalbleitern auf Infineon
Vitesco Technologies hat eine Kooperationsvereinbarung mit der Infineon Technologies AG unterzeichnet. Infineon ist nach eigenen Angaben der führende Halbleiterhersteller für die Automobilelektronik und Anbieter von Leistungshalbleitern aus Siliziumkarbid. Siliziumkarbid spielt eine Schlüsselrolle für die Effizienzsteigerung von Hochvolt-Leistungselektroniken im Antrieb elektrifizierter Fahrzeuge.
Wie es in einer Mitteilung heißt, setzte Vitesco Technologies SiC-Bausteine beispielsweise in sehr kompakten Hochvoltinvertern ein, die elektrische Antriebsmotoren ansteuern. Als einer der Vorreiter bei der Elektromobilität nutzt Vitesco Technologies SiC-Komponenten bereits in der aktuellen Elektronikgeneration, wo sie geringe Baugrößen bei hoher Effizienz ermöglichen.
„Partnerschaften mit führenden Halbleiterherstellern sind für uns wichtig, um ein dynamisches Wachstum zu beherrschen. Mit Infineon verbindet uns eine lange Zusammenarbeit bei Silizium. Nun vertiefen wir diese mit SiC-Leistungshalbleitern. Durch die gemeinsame Weiterentwicklung der Chips, speziell für unsere Anwendungen im Bereich der Elektromobilität, entstehen hochattraktive Lösungen“, sagt Andreas Wolf, Vorstandsvorsitzender von Vitesco Technologies.
„Bei Siliziumkarbid ist Infineon technologisch und qualitativ führend. Unsere zweite Siliziumkarbid-Generation ermöglicht es noch kompaktere und effizientere Systeme zu entwickeln“, so Dr. Stephan Zizala, Leiter der Geschäftseinheit Automotive High Power von Infineon Technologies.
SiC-Leistungshalbleiter sind ein neuer Trend in Elektroniken mit Spannungslagen für elektrifizierte Antriebe bis zu 800 Volt Systemspannung. Im Vergleich zu herkömmlichen Halbleitern aus Silizium bietet SiC, insbesondere bei einer Batteriespannung von 800 Volt, einen Effizienzvorteil, der sich in Folge dann auch auf die Reichweite eines Elektrofahrzeugs auswirkt.
