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© dmitriy shironosov dreamstime.com Elektronikproduktion | 26 November 2021

Neue Kooperation bei Erforschung von Siliziumkarbid für E-Auto-Anwendungen

Das Institute of Microelectronics der Agency for Science, Technology and Research und STMicroelectronics haben den Beginn einer Forschungs- und Entwicklungs-Kooperation im Bereich Siliziumkarbid zum Einsatz in Leistungselektronik-Anwendungen für den Automobil- und Industriemarkt bekanntgegeben.

Die Zusammenarbeit schaffe die Grundlage für eine umfassende SiC-Infrastruktur in Singapur und generiere Chancen für andere Unternehmen, sich gemeinsam mit dem IME und ST an der SiC-Forschung zu beteiligen, heißt es in einer Mitteilung. SiC-Lösungen können die Leistungsfähigkeit konventioneller Silizium-Bauelemente in der Leistungselektronik für Elektrofahrzeuge und industrielle Anwendungen übertreffen, sodass die Nachfrage nach Power-Modulen mit kleineren Abmessungen, mehr Ausgangsleistung und höheren Betriebstemperaturen erfüllt werden kann. „Wir freuen uns über die Zusammenarbeit mit STMicroelectronics bei der Entwicklung bahnbrechender Technologien, die auf die Anforderungen des expandierenden EV-Markts abgestimmt sind“, sagt Prof Dim-Lee Kwong, Executive Director des IME. „Diese neuerliche Kooperation mit dem IME bietet Anreize für den Ausbau einer Siliziumkarbid-Infrastruktur in Singapur, indem wir unsere dortigen Fertigungsaktivitäten aufstocken - zusätzlich zu denen im italienischen Catania. Diese mehrjährige Gemeinschaftsinitiative hilft uns bei der Ausweitung unserer globalen F&E-Vorhaben über all unsere bestehenden Programme hinweg, die von Catania und Norrköping in Schweden aus koordiniert werden und die gesamte SiC-Wertschöpfungskette umfassen“, so Edoardo Merli, General Manager der Power Transistor Macro-Division und Group Vice President der Automotive and Discrete Group von STMicroelectronics weiter.
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2021.11.22 13:31 V19.1.3-2