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© STMicroelectronics Elektronikproduktion | 02 August 2021

STMicro stellt erste 200-mm-Siliziumkarbid-Wafer her

STMicroelectronics hat mit der Produktion der ersten 200 mm (8 Zoll) großen Siliziumkarbid-Wafer (SiC) für das Prototyping einer neuen Generation von Power-Bauelementen im Werk im schwedischen Norrköping begonnen. Die Umstellung auf 200-mm-Wafer markiere einen wichtigen Meilenstein im Kapazitätsausbau für die Programme der ST-Kunden auf dem Automobil- und Industriesektor, heißt es in einer Mitteilung.

Außerdem werde die Position von ST in dieser Halbleitertechnologie gestärkt, mit der sich kleinere, leichtere und effizientere Leistungselektronik mit einem insgesamt niedrigeren Kostenniveau realisieren lasse. Die zu den weltweit ersten gehörenden 200-mm-SiC-Wafer von ST würden sich zudem durch ein sehr hohes Qualitätsniveau mit einem Minimum an ausbeuteschmälernden Fehlern und Kristallversetzungs-Defekten auszeichnen. Abgesehen von der Bewältigung der Qualitäts-Herausforderung erfordere der Umstieg auf 200 mm große SiC-Substrate einen Schritt nach vorn bei den Fertigungsanlagen und in der Leistungsfähigkeit der gesamten Support-Infrastruktur, heißt es weiter. „Der Wechsel zu 200 mm großen SiC-Wafern wird entscheidende Vorteile für unsere Automotive- und Industriekunden bringen, deren Initiativen zur Elektrifizierung ihrer Systeme und Produkte weiter an Tempo zulegen“, sagt Marco Monti, President der Automotive and Discrete Group von STMicroelectronics. „Wichtig ist der Umstieg auch zur Verstärkung der Skaleneffekte beim Hochfahren der Produktionsstückzahlen“. Zurzeit produziert ST seine Großserien-SiC-Produkte der STPOWER-Familie auf zwei 150-mm-Waferlinien in den Werken Catania (Italien) und Ang Mo Kio (Singapur). Das Zusammenbauen und Testen findet in den Back-end-Werken Shenzhen (China) und Bouskoura (Marokko) statt. Der jetzt durchgeführte Schritt ist Bestandteil des geplanten Umstiegs des Unternehmens auf eine fortschrittlichere, kosteneffiziente Massenproduktion von 200-mm-SiC-Wafern. Diese Umstellung wiederum sei Teil der bestehenden Pläne des Unternehmens zum Bau einer neuen Fertigungsstätte für SiC-Substrate und zum Bezug von mehr als 40 Prozent der SiC-Substrate aus internen Quellen bis zum Jahr 2024.
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2021.09.22 15:16 V18.22.22-2