Genau die Kraft, die Sie brauchen: die Photovoltaik-MOSFET-Hochleistungstreiber

Bei modernen industriellen Automatisierungslösungen und bei Ausrüstung für den Einsatz im Energiesektor oder professionellen Umfeld handelt es sich häufig um hochgradig spezialisierte Geräte, die ein hohes Maß an Sicherheit und Auslegungsflexibilität für Schaltelemente wie Halbleiterrelais erfordern. Ein Photovoltaik-Treiber für galvanische Trennung in Kombination mit einem eigenen MOSFET-Leistungsschalter deckt alle Anforderungen vollständig ab. Die neuen APV-Ausführungen der Photovoltaik-MOSFET-Treiber von Panasonic Industry werden in einem miniaturisierten SSOP-Gehäuse ausgeliefert und sind in der Lage, MOSFETS in einem neuen Bereich durch die Bereitstellung hoher Ausgangsspannung oder -stromstärke zu regeln. Die Photovoltaik-MOSFET-Treiber stellen eine galvanische Trennung von 1.500 V zwischen dem Steuerungskreis und dem Leistungsabgabekreis bereit. Die neue Hochleistungsvariante APV3111GVY schaltet Power MOSFETs direkt für hohe Lastströme, was aufgrund einer erzeugten Ausgabespannung von 18 V ermöglicht wird. Diese Spannung wird für das Steuern der MOSFET Gates verwendet und macht zusätzliche Verstärkerteile auf der Leiterplatte überflüssig. Wenn es um Hochgeschwindigkeitsschaltungen mit hohen Anforderungen an die Stromstärke geht, ist APV1111GVY die richtige Lösung – und zeichnet sich durch einen bemerkenswerten Ausgabestrom von 45 μA für das schnelle Laden von MOSFET Gates aus. Ein unkompliziertes Treiber-Prinzip, das einen weiten Temperaturbereich unterstützt und für effiziente und miniaturisierte Hochleistungs-Anwendungen der nächsten Generation bereit ist, zu denen Stromversorgungsgeräte, Messausrüstung, Energiespeichersysteme und unzählige weitere Anwendungszwecke gehören. Erfahren Sie mehr über das Leistungsangebot der APV-Serie.