GlobalWafers und GF schaffen durch Kooperation zahlreiche neue Arbeitsplätze in den USA

Bei dem Vertrag geht es um die Erweiterung der 300mm Silicon-on-Insulator (SOI)-Wafer-Produktion und den Ausbau der bestehenden 200mm SOI-Wafer-Produktion im MEMC-Werk von GlobalFoundries in O'Fallon, Missouri. Insbesondere werden die 300-mm-Wafer, die am MEMC-Standort von GlobalWafers (GWC) in Missouri hergestellt werden, in der Produktionsstätte von GF, Fab 8 in Malta, New York, zum Einsatz kommen Die 200-mm-Wafer, die am Standort in Missouri hergestellt werden, sollen in der Fab 9 von GF in Essex Junction im US-Bundesstaat Vermont verwendet werden. Diese Wafer werden für die Herstellung von Halbleiterprodukten verwendet, um die wachsende Nachfrage nach den fortschrittlichen RF-Technologien des Unternehmens in Anwendungen wie 5G-Smartphones, drahtlose Konnektivität, Automobilradar und Luft- und Raumfahrt zu decken. Die Pilotanlage für die 300-mm-Produktion werde voraussichtlich im 4. Quartal dieses Jahres fertiggestellt werden. Die Vereinbarung wird durch Investitionen und Unterstützung in Höhe von 9,4 Millionen US-Dollar seitens des Staates Missouri sowie durch die Unterstützung der Stadt O'Fallon unterstützt. GF investiert allein in diesem Jahr 1,4 Milliarden US-Dollar in den Ausbau seiner Produktionskapazitäten, um die weltweit steigende Nachfrage nach Computerchips zu befriedigen. Als Teil dieses Wachstums werde GF eine erhöhte Versorgung mit Wafern wie denen von GWC benötigen. „Als Halbleiterhersteller und Lieferant der US-Regierung sowie als Weltmarktführer in der RF-Halbleitertechnologie hat GF eine führende Rolle bei der Erhöhung der US-Halbleiterproduktion und der Steigerung unserer Kapazitäten gespielt, um die wachsende weltweite Nachfrage nach Chips zu decken", so GF-CEO Tom Caulfield in einer Pressemitteilung. Man sei stolz darauf, die strategische Partnerschaft mit GF zu vertiefen und die wichtige Rolle in der US-Halbleiterlieferkette auszubauen", fügt Doris Hsu, Chairman und CEO von GWC, abschließend hinzu.