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STMicroelectronics erweitert seine MasterGaN®-Familie
Gestützt auf die Vorzüge der MasterGaN®-Plattform von STMicroelectronics, ist MasterGaN2 der erste Baustein der neuen Familie, der zwei asymmetrische Galliumnitrid-Transistoren (GaN) enthält. Damit steht eine integrierte GaN-Lösung für Wandlertopologien mit sanftem Schaltverhalten und aktiver Gleichrichtung zur Verfügung.
Das ist eine Produktankündigung von STMicroelectronics. Allein der Emittent ist für den Inhalt verantwortlich.
Die selbstsperrenden GaN-Transistoren mit 650 V Nennspannung weisen Einschaltwiderstände von 150 mOhm bzw. 225 mOhm auf. Da jedem Transistor ein eigener, optimierter Gatetreiber zugeordnet ist, ist die GaN-Technologie hier genauso einfach anzuwenden wie normale Silizium-Transistoren. Indem sie fortschrittliche Integration mit den prinzipbedingten Performance-Vorteilen der GaN-Technologie verbindet, sorgt die MasterGaN2-Familie dafür, dass die von Topologien wie etwa Sperrwandlern mit aktiver Klemmung gebotenen Verbesserungen in Bezug auf den Wirkungsgrad, den Platzbedarf und das Gewicht noch besser zum Tragen kommen.
In ein und demselben Gehäuse enthalten die Power-SiPs (Systems in Package) der MasterGaN-Familie beiden GaN-HEMTs (High-Electron-Mobility Transistors) samt den zugehörigen Hochspannungs-Treibern sowie alle nötigen Schutzmechanismen. Externe Bauelemente wie etwa Hall-Sensoren oder Controller (z. B. ein DSP, FPGA oder Mikrocontroller) lassen sich direkt mit dem MasterGaN-Baustein verbinden. Die Kompatibilität der Eingänge zu Logiksignalen mit Pegeln von 3,3 V bis 15 V trägt dazu bei, das Schaltungsdesign zu vereinfachen, den Bauteileaufwand und den Platzbedarf zu reduzieren und die Montage zu erleichtern. Nicht zuletzt hilft diese Integration, die Leistungsdichte von Netzteilen und Schnellladegeräten zu steigern.
Die GaN-Technologie treibt die Entwicklung hin zu schnellen USB-PD-Netzteilen und Smartphone-Ladegeräten voran. Mit den MasterGaN-Bausteinen von ST lassen sich diese Applikationen um bis zu 80 % kleiner und bis zu 70 % leichter realisieren, während sich gleichzeitig die Ladezeiten gegenüber herkömmlichen, siliziumbasierten Lösungen auf ein Drittel verringern.
Zu den eingebauten Schutzfunktionen gehören low- und high-seitige Unterspannungs-Sperren (Under-Voltage Lockout, UVLO), gegenseitig verriegelte Gatetreiber, ein spezieller Shutdown-Anschluss und ein Übertemperaturschutz. Das 9 mm x 9 mm x 1 mm messende GQFN-Gehäuse ist mit seiner mehr als 2 mm betragenden Kriechstrecke zwischen Hoch- und Niederspannungs-Pads speziell für Hochspannungs-Anwendungen optimiert.
Der MasterGaN2 wird bereits produziert und ist zu Preisen ab 6,50 US-Dollar (ab 1.000 Stück) lieferbar.
Weitere Informationen finden Sie auf www.st.com/mastergan
