Neue Gate-Treiber-ICs für 5G- und LTE-Makro-Basisstationen

Die zweikanaligen Gate-Treiber-ICs mit Junction-Isolation sorgen für ein hohe Leistungsdichte, Effizienz und Robustheit in isolierten DC-DC-Abwärtswandlern und Telekommunikations-Bricks. Damit ermöglichen sie Makro-Basisstationen in 5G- und LTE-Infrastrukturen. Die 2EDL8-Familie umfasst vier Varianten mit zwei unterschiedlichen Pull-up-Strömen und zwei verschiedenen Eingangskonfigurationen. Die 3-A-Version ist ideal für Nachrüstungen geeignet, während die branchenführende 4-A-Version empfohlen wird, um damit Schaltverluste von MOSFETs zu reduzieren. Der 2EDL802x erlaubt den unabhängigen Betrieb beider Kanäle. Das Bauteil ist die perfekte Wahl für diagonal angetriebene Vollbrücken auf der Primärseite sowie für die Synchrongleichrichterstufe auf der Sekundärseite. Das sekundärseitige Design reduziert die Verluste während der Freilaufphase. Der 2EDL812x weist eine Differentialeingangsstruktur auf und einen eingebauten Schutz vor Phasen-Kurzschluss. Damit ist er ideal geeignet für Halbbrückenstufen in DC-DC-Brick-Wandlern, die primärseitig nicht diagonal angetrieben werden. Der 2EDL8 verfügt über eine integrierte 120 V Bootstrap-Diode und eine präzise Kanal-zu-Kanal-Anpassung für eine Laufzeitverzögerung von ± 2 ns typisch. Alle Treiber dieser Familie sind im Leadless-Gehäuse PG-VDSON-8 untergebracht und entsprechen beim Pin-out und den Maßen dem Industriestandard. Verfügbarkeit Die vier Produktvarianten der EiceDRIVER 2EDL8-Familie können ab sofort bestellt werden. Weitere Informationen sind erhältlich unter www.infineon.com/2EDL8.