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Produkte | 30 November 2020

200 V Levelshift-SOI-EiceDRIVER™ für drei Phasen bietet überlegene Robustheit

Die Infineon Technologies AG erweitert ihr EiceDRIVER™-Portfolio mit Levelshift um einen 1200 V Dreiphasen-Gate-Treiber. Dieser basiert auf der einzigartigen Silicon-on-Insulator-(SOI-)Technologie des Unternehmens.

Das ist eine Produktankündigung von Infineon Technologies AG. Allein der Emittent ist für den Inhalt verantwortlich.
Das Bauteil bietet eine besonders gute Immunität bei negativen VS-Transienten, eine überlegene Latch-up-Immunität, schnellen Überstromschutz und die monolithische Integration von echten Bootstrap-Dioden. Diese einzigartigen Merkmale reduzieren die Stückliste der Applikation und ermöglichen ein robusteres Design bei einem kompakten Formfaktor. Geeignet ist der neue EiceDRIVER vor allem für industrielle Antriebe und eingebettete Umrichteranwendungen. Der Gate-Treiber 6ED2230 mit Levelshift bietet 350 mA / 650 mA Source- und Sink-Stromtreiberfähigkeit und verhindert dank integrierter Totzeit einen Phasen-Kurzschluss. Integriert ist ebenfalls ein Komparator für Überstromschutz mit einer Referenzschwellen-Genauigkeit von +/-5 Prozent. Dieser ermöglicht einen schnellen, wiederholbaren und zuverlässigen Schaltschutz. Die integrierten Bootstrap-Dioden des EiceDRIVERs bieten ein ultraschnelles Schaltverhalten mit einem sehr niedrigen typischen Widerstand von 40 Ω. Seine Immunität gegenüber negativer VS-Transientenspannung von -100 V, mit wiederholbaren, 700 ns langen Impulsen, macht ihn überaus robust und ermöglicht einen zuverlässigen Betrieb. Hierzu verfügen die Spannungsversorgungen für die Low- und High-Side zusätzlich über einen unabhängigen Unterspannungsschutz (UVLO). Das einzigartige DSO-24-Gehäuse legt die Nieder- und Hochspannung auf gegenüberliegende Seiten, um die Luft- und Kriechstrecken weiter zu vergrößern. Verfügbarkeit Der EiceDRIVER 6ED2230 kann ab sofort bestellt werden. Er wird in einem DSO-24-300-mil-Gehäuse (Größe gemäß Industriestandard DSO-28) mit reduzierter Pin-Anzahl geliefert. Dies führt gemäß Human-Body-Model (HBM) zu einer überlegenen ESD-Einstufung von 2 kV. Weitere Informationen sind erhältlich unter www.infineon.com/SOI.
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2021.01.26 10:57 V18.15.16-1