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© NXP Elektronikproduktion | 02 Oktober 2020

NXP eröffnet neue US-GaN-Fabrik in Arizona

NXP Semiconductors hat seine neue 150 mm (6-Zoll) RF-Gallium-Nitrid (GaN)-Fabrik in Chandler im US-Bundesstaa Arizona offiziell eröffnet. Das hat das Unternehmen jetzt mitgeteilt.

Dieser Tag markiert einen entscheidenden Meilenstein für NXP. Durch den Bau dieser unglaublichen Anlage in Arizona sind wir in der Lage, uns auf die GaN-Technologie zu konzentrieren, um so die Infrastruktur der nächsten Generation von 5G-Basisstationen voranzutreiben", so CEO Kurt Sievers in einer Pressemitteilung zur Eröffnung. Mit 5G habe die Dichte der pro Antenne erforderlichen HF-Lösungen exponentiell zugenommen - dennoch sei die Beibehaltung der gleichen Gehäusegröße und die Reduzierung des Stromverbrauchs mehr oder weniger zwingend erforderlich. GaN-Leistungstransistoren hätten sich als neuer Goldstandard herauskristallisiert. Die Entscheidung von NXP, eine interne GaN-Fabrik zu bauen, wurde durch die Fähigkeit des Unternehmens vorangetrieben, größere Leistungen zu erzielen, indem es seine Kernkompetenz im Bereich des Designs von Mobilfunk-Infrastrukturen sowie seine Erfahrung bei der Fertigung großer Stückzahlen nutzt. NXP verfügt über fast 20 Jahre Erfahrung in der GaN-Entwicklung und umfassende Kenntnisse in der Drahtloskommunikationsbranche. Damit sei man in der Lage, bei der nächsten Welle der zellularen Expansion für 5G konkurrenzfähig zu sein. Die Fabrik in Chandler werde als Innovations-Drehscheibe dienen, die die Zusammenarbeit zwischen der Fabrik und dem F&E-Team von NXP vor Ort erleichtern soll. Ingenieure des Unternehmens könnten nun ihre Expertise für aktuelle und zukünftige Generationen von GaN-Bauelementen schneller entwickeln, testen und schützen, was zu kürzeren Zykluszeiten für GaN-Innovationen von NXP führe, heißt es abschließend.
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