Siltronic fährt GaN-Wafer-Aktivitäten mit AIXTRON-Anlage hoch

Der Planeten-Reaktor(R) verfügt über die Auto-Feed Forward (AFF) von AIXTRON individuelle On-Wafer-Temperaturregelung und eine 8x150-mm- und 5x200-mm-Konfiguration. Die Anlage wird im vierten Quartal dieses Jahres an den Kunden ausgeliefert. Siltronic ist einer der führenden Anbieter von Silizium-Wafern für die Halbleiterindustrie und will den zusätzlichen Epitaxie-Reaktor nutzen, um die Position auf dem aufstrebenden GaN-on-Si-Markt zu stärken. Die AIX G5+ C wird von Siltronic für die Herstellung von 150 mm- und 200 mm-Galliumnitrid-auf-Silizium (GaN-on-Si)-Epi-Wafern für Radiofrequenz (RF)- und Leistungselektronikanwendungen eingesetzt. „Der GaN-on-Si-Markt ist ein wichtiges zukünftiges Wachstumsfeld. Im Rahmen des GaN-Power-Programms von imec, dem Forschungsinstitut für Nanoelektronik, waren wir schon früh sehr aktiv, um unseren Kunden Spitzenleistungen zu bieten. Um uns in diesem Markt wettbewerbsfähig zu positionieren, benötigen wir eine Anlage, mit der wir unseren Kunden die Epi-Wafer mit der besten Leistung liefern und gleichzeitig das Volumen zu niedrigsten Kosten steigern können. Wir sehen die AIX G5+ C-Anlage in dieser Hinsicht als ideale Lösung sowohl für GaN Power- als auch für RF-Bauelemente, um die wachsenden Anwendungen und Megatrends zu bedienen“, so Dr. Christoph von Plotho, CEO der Siltronic AG. „Die GaN-on-Si-Technologie hat in den vergangenen Jahren einen beeindruckenden Durchbruch erzielt, und die Geräte setzen sich sowohl in Verbraucher- als auch in Industrieprodukten für Leistungs- und RF-Anwendungen rasch durch. Die AIX G5+ C ist eine voll ausgereifte Plattform für diese fortschrittlichen Anwendungen, und es ist fantastisch, dass wir unsere Kunden bei der Erschließung dieser neuen Märkte begleiten können", sagt Dr. Felix Grawert, CEO von AIXTRON.