Mitsubishi Electric setzt auf Ausbau von Power Devices

Dabei handele es sich um ein Gebäude und Grundstücke von Sharp Fukuyama Semiconductor Co., Ltd., einer hundertprozentigen Tochtergesellschaft von Sharp in Fukuyama in der Präfektur Hiroshima. Die erworbenen Grundstücke sollen als neuer Standort dienen, an dem das Power Device Works von Mitsubishi Electric Wafer Power Semiconductors herstelllen wird. Neue Produktionsanlagen, die im November nächsten Jahres in Betrieb genommen werden sollen, würden es Mitsubishi Electric ermöglichen, das Geschäft mit Power Semiconductors auszubauen, schreibt das Unternehmen in einer Pressemitteilung. Die Nachfrage nach Power Semiconductors, die benötigt werden, um elektrische Leistung effizient zu steuern, steige rapide an - parallel zu den Bemühungen, Energie zu sparen und die Umwelt zu schützen. Um diesen wachsenden Bedarf zu decken, hatte Mitsubishi Electric nach möglichen neuen Produktionsstätten gesucht. Daraufhin hatte das Unternehmen mit der Sharp Corporation eine Vereinbarung über den Erwerb von Gebäuden und Grundstücken von Sharp Fukuyama Semiconductor getroffen.