MOSFETs für Anwendungen mit extrem hoher Leistungsdichte

Die Transistoren mit den Typenbezeichnungen MXP401F1P0BGL, MXP60F2P0EGC und MXP60F2P2FGC bieten Entwicklern von Umrichtern für Elektrowerkzeugen (Power Tools), DC/DC-Wandlern oder Netzteilen mit Synchrongleichrichter neue Möglichkeiten zur Steigerung der Leistungsdichte. Die niedrigen Durchlass- und Schaltverluste ermöglichen in Kombination mit der Möglichkeit zur doppelseitigen Kühlung das Design extrem effizienter und kompakter Schaltungen. Der Vertrieb erfolgt über die Finepower GmbH. Alle drei Leistungs-MOSFETs werden in einer von MaxPower entwickelten und geschützten neuen Trench-Technologie gefertigt. Diese Technologie ermöglicht sowohl niedrige Durchlass- und Schaltverluste, als auch eine hohe Robustheit, z.B. durch eine schnelle Body-Diode. Die MOSFETs werden im kompakten MaxPAK5x6-Gehäuse geliefert, welches jetzt auch als neue Variante mit doppelseitiger Kühlung verfügbar ist um eine optimale Wärmeabfuhr zu gewährleisten. Der erste MOSFET der Serie, der MXP401F1P0BGL ist für Betriebsspannungen bis maximal 40 Volt ausgelegt. Mit einem Durchgangswiderstand (RDSON) von höchstens 1 mOhm liegt er im Wettbewerb im absoluten Spitzenfeld. Ausgelegt für Dauerströme bis 299 A, verkraftet der MOSFET kurzzeitige Stromspitzen bis zu 1196 A. Die Verlustleistung kann bis zu 190 Watt betragen. Der MXP60F2P0EGC unterscheidet sich durch höhere Betriebsspannungen bis 60 Volt. Der Durchgangswiderstand liegt bei 2mOhm, der maximale Dauerstrom bei 218 A. Kurzzeitige Strompulse dürfen bis zu 874 A betragen; die maximale Verlustleistung liegt bei 211 Watt. Der MXP60F2P2FGC wurde mit dem Fokus auf besonders niedrige Schaltverluste entwickelt. Er verbindet die Vorteile extrem niedriger Schaltverluste mit einem kleinen Durchgangswiderstand von nur 2,2mOhm bei 60V Durchbruchspannung. Die maximale Verlustleistung beträgt, wie beim MXP60F2P0EGC, 211 Watt. Der maximale Dauerstrom liegt bei 208 A; kurze Strompulse dürfen bis zu 831 A betragen. Die drei neuen n-Kanal-MOSFET-Leistungstransistoren im Überblick

1	MXP401F1P0BGL	MXP60F2P0EGC	MXP60F2P2FGC
Breakdown-Spannung (BVDss)	40V	60V	60V
max. RDS(on) @ 10V	1,0 mOhm	20 mOhm	2.2 mOhm
ID (Chiplimit)	299 A	218 A	208 A
Pulsstrom	1196 A	874 A	831 A
Verlustleistung	190W	211W	211 W
Qg total @ 10V	115 nC	109 nC	67 nC
Ciss	5400 pF	7300 pF	5700 pF
Coss	910 pF	720 pF	660 pF
Fokus	Niedriger Rds(on)	Niedriger Rds(on)	Niedrige Schaltverluste