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Produkte | 04 Mai 2020

MOSFETs für Anwendungen mit extrem hoher Leistungsdichte

Mit drei neuen n-Kanal MOSFETs hat der innovative Halbleiterhersteller MaxPower Semiconductor sein Portfolio an hochwertigen Leistungskomponenten erweitert.

Das ist eine Produktankündigung von MaxPower Semiconductor Inc.. Allein der Emittent ist für den Inhalt verantwortlich.
Die Transistoren mit den Typenbezeichnungen MXP401F1P0BGL, MXP60F2P0EGC und MXP60F2P2FGC bieten Entwicklern von Umrichtern für Elektrowerkzeugen (Power Tools), DC/DC-Wandlern oder Netzteilen mit Synchrongleichrichter neue Möglichkeiten zur Steigerung der Leistungsdichte. Die niedrigen Durchlass- und Schaltverluste ermöglichen in Kombination mit der Möglichkeit zur doppelseitigen Kühlung das Design extrem effizienter und kompakter Schaltungen. Der Vertrieb erfolgt über die Finepower GmbH. Alle drei Leistungs-MOSFETs werden in einer von MaxPower entwickelten und geschützten neuen Trench-Technologie gefertigt. Diese Technologie ermöglicht sowohl niedrige Durchlass- und Schaltverluste, als auch eine hohe Robustheit, z.B. durch eine schnelle Body-Diode. Die MOSFETs werden im kompakten MaxPAK5x6-Gehäuse geliefert, welches jetzt auch als neue Variante mit doppelseitiger Kühlung verfügbar ist um eine optimale Wärmeabfuhr zu gewährleisten. Der erste MOSFET der Serie, der MXP401F1P0BGL ist für Betriebsspannungen bis maximal 40 Volt ausgelegt. Mit einem Durchgangswiderstand (RDSON) von höchstens 1 mOhm liegt er im Wettbewerb im absoluten Spitzenfeld. Ausgelegt für Dauerströme bis 299 A, verkraftet der MOSFET kurzzeitige Stromspitzen bis zu 1196 A. Die Verlustleistung kann bis zu 190 Watt betragen. Der MXP60F2P0EGC unterscheidet sich durch höhere Betriebsspannungen bis 60 Volt. Der Durchgangswiderstand liegt bei 2mOhm, der maximale Dauerstrom bei 218 A. Kurzzeitige Strompulse dürfen bis zu 874 A betragen; die maximale Verlustleistung liegt bei 211 Watt. Der MXP60F2P2FGC wurde mit dem Fokus auf besonders niedrige Schaltverluste entwickelt. Er verbindet die Vorteile extrem niedriger Schaltverluste mit einem kleinen Durchgangswiderstand von nur 2,2mOhm bei 60V Durchbruchspannung. Die maximale Verlustleistung beträgt, wie beim MXP60F2P0EGC, 211 Watt. Der maximale Dauerstrom liegt bei 208 A; kurze Strompulse dürfen bis zu 831 A betragen. Die drei neuen n-Kanal-MOSFET-Leistungstransistoren im Überblick
1MXP401F1P0BGLMXP60F2P0EGCMXP60F2P2FGC
Breakdown-Spannung (BVDss)40V60V60V
max. RDS(on) @ 10V1,0 mOhm20 mOhm2.2 mOhm
ID (Chiplimit)299 A218 A208 A
Pulsstrom 1196 A874 A831 A
Verlustleistung190W211W211 W
Qg total @ 10V115 nC109 nC67 nC
Ciss5400 pF7300 pF5700 pF
Coss910 pF720 pF660 pF
FokusNiedriger Rds(on)Niedriger Rds(on)Niedrige Schaltverluste
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2020.10.20 19:22 V18.11.10-2