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AIX G5+ unterstützt Kapazitätsaufbau für die Herstellung von Hochfrequenz-Bauelementen
AIXTRON SE hat bekannt gegeben, dass der japanische Konzern Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. eine Anlage des Typs AIX G5+ mit einer Konfiguration von 8x6-Zoll zur Ausweitung seiner Produktion von Hochfrequenz (HF)-Bauelementen auf GaN-on-SiC-Basis (Galliumnitrid-auf-Siliziumkarbid) bestellt hat. Diese werden vor allem für drahtlose Anwendungen wie Radar, Satellitenkommunikation und Basisstationen für 5G Mobilfunknetzwerke benötigt.
Die Auslieferung der Anlage sei für 2019 vorgesehen, heißt es in einer Pressemitteilung. SEDI setzt bei der Herstellung von 4-Zoll-Epitaxiewafern aus Galliumnitrid (GaN) bereits erfolgreich auf die Showerhead-Technologie von AIXTRON. Der fortschreitende Ausbau von 5G-Netzwerken, aber auch die Einführung neuer Technologien wie Beamforming, soll zu einer raschen Nachfragebelebung führen und durch die Einführung von effizienteren 6-Zoll-Substraten für Hochfrequenz-Anwendungen auf den bewährten Planetensystemen von AIXTRON unterstützt werden.
Mit der Wahl der AIX G5+ und dem damit einhergehenden Wechsel auf die AIXTRON MOCVD-Planetentechnologie setzt SEDI auf das marktführende Produktionssystem der Branche für GaN-basierte Transistoren mit hoher Elektronenbeweglichkeit (High Electron Mobility Transistors, HEMTs), die nicht nur hervorragende Prozessausbeuten garantiere, sondern auch die niedrigsten Betriebskosten des Marktes ermögliche. Die neue Prozesskammer ist mit einem EpiCurve TT-Messsystem sowie mit Auto-Feed Forward und P400 UV-Pyrometer-Temperaturregelung ausgestattet.
Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. bietet bereits eine Reihe von GaN HEMTs für Radar, Mobilfunk-Basisstationen und allgemeine Anwendungen an. Diese GaN-on-SiC HEMT-Bauelemente ermöglichen eine hohe Leistungsverstärkung bei Betriebsfrequenzen von 28-40 GHz und darüber hinaus, wie es unter anderem die neuen 5G-Kommunikationsstandards erfordern.