Cree und STMicro erweitern Liefervertrag für Siliziumkarbid-Wafer

Mit dieser Vereinbarung verdoppelt sich der Wert des ursprünglichen Vertrags zur Lieferung der fortschrittlichen 150 mm Siliziumkarbid-Bare und Epitaxie-Wafern von Cree an STMicroelectronics über die kommenden Jahre. ie steigende Zufuhr von Wafern ermöglicht es den führenden Halbleiterherstellern, die wachsende Nachfrage nach Siliziumkarbid-Leistungsbauelementen weltweit zu bedienen, insbesondere für Automobil- und Industrieanwendungen. „Mit der Erweiterung unseres langfristigen Wafer-Liefervertrags mit Cree steigt die Flexibilität unserer weltweiten Siliziumkarbid-Substratversorgung. Sie wird außerdem dazu beitragen, die erforderliche Menge an Substrat zu sichern, die wir für die Herstellung unserer Siliziumkarbid-basierten Produkte benötigen, da wir die Produktion in den kommenden Jahren für die steigende Zahl an gewonnenen Programmen für Automobil- und Industriekunden hochfahren werden", sagt Jean-Marc Chery, President und CEO von STMicroelectronics. „Siliziumkarbid führt zu Leistungssteigerungen, die für Elektrofahrzeuge entscheidend sind ebenso wie für eine Vielzahl an industriellen Lösungen der nächsten Generation für Solar-, Energiespeicher- und USV-Systeme", so Gregg Lowe, CEO von Cree. Cree bekenne sich weiterhin dazu, Vorreiter beim Übergang der Halbleiterindustrie von Silizium zu Siliziumkarbid zu sein. „Die Verlängerung der Vereinbarung mit ST stellt sicher, dass wir in der Lage sind, die zunehmende, globale Nachfrage nach dieser Technologie über eine große Bandbreite an Anwendungen hinweg zu bedienen und gleichzeitig den Markt zu stärken“, sagt Lowe weiter.