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© ra2studio dreamstime.com Elektronikproduktion | 13 September 2019

Tsinghua Unigroup will neues F&E-Zentrum errichten

Die Tsinghua Unigroup hat bekannt gegeben, dass sie mit der Regierung von Chongqing/Südwest-China eine Vereinbarung über die Errichtung eines Forschungs- und Entwicklungszentrums und einer Waferfabrik für die DRAM-Produktion unterzeichnet hat. Der Bau dieser Anlagen soll gegen Ende 2019 beginnen und 2021 beendet sein.

TrendForce ist der Ansicht, dass dieses jüngste Ereignis ein weiterer Beweis für Chinas Entschlossenheit sei, die Selbstversorgung mit Speicherprodukten zu erreichen. Die anhaltende Eskalation des US-amerikanischen und chinesischen Handelsstreits und das Führen auf der sogenannten Blacklist von JHICC durch die US-Regierung hätten die chinesische Regierung gezwungen, ihre Anstrengungen zum Aufbau einer heimischen DRAM-Industrie zu verstärken. Die Tsinghua Unigroup hatte bereits am 30. Juni eine Erklärung veröffentlicht, in der bestätigt wurde, dass sie einen DRAM-Geschäftsbereich mit Diao Shijing, dem ehemaligen Direktor von MIIT, als Chairman und Charles Kao als CEO geschaffen hat. Die Gründung des Geschäftsbereiches DRAM ist ein Zeichen dafür, dass Tsinghua Unigroup und der Staat ihre Zusammenarbeit auf eine noch tiefere Ebene gebracht haben. Diese Maßnahme bestätige auch, dass China entschlossen ist, seine heimische Halbleiterproduktion auf die fortschrittlicheren Speicherprodukte auszuweiten, heißt es bei TrendForce weiter. Die erste große Herausforderung für die DRAM-Geschäftseinheit ist nach der aktuellen Einschätzung von TrendForce die Entwicklung der Prozesstechnologie. Im Gegensatz zu JHICC und CXMT verfügt Tsinghua Unigroup nicht über einen externen Partner, der das entscheidende Know-how bereitstellen kann. JHICC hat bereits beträchtliches Know-how aus seiner früheren Partnerschaft mit UMC erworben. Der ursprüngliche Zeitplan von JHICC für die Produkt- und Technologieentwicklung wurde durch die Beteiligung von UMC ermöglicht. Ebenso hat CXMT von Qimonda die Lizenzen für Schlüsseltechnologien zur Entwicklung seiner DRAM-Produkte erhalten. Im Falle von Tsinghua Unigroup verfüge die IC-Design-Tochter Unigroup Guoxin Microelectronics über die F&E-Kapazitäten, um bei der Entwicklung von Speicherprodukten zu unterstützen. Muss Tsinghua Unigroup einen DRAM-Prozess allein aufbauen, könne das ganze Projekt drei bis fünf Jahre dauern. Auch wenn das Werk in Chongqing fertiggestellt ist und wie geplant 2021 mit der Kleinserienproduktion beginnt, werde es lange dauern, bis der Betrieb in dem Werk Masseneffekte erzielen werde. TrendForce erwähnt zudem, dass dies nicht der erste Versuch der Tsinghua Unigroup ist, in den DRAM-Markt einzusteigen. Der Mischkonzern hat bereits 2014 seinen Beschluss gefasst, DRAM-Produkte zu entwickeln. Der Plan wurde jedoch später zurückgestellt. Einer der Gründe, warum die Tsinghua Unigroup ihren Fokus nun wieder auf DRAM verlagert hat, ist die von der US-Regierung auferlegte Technologie-Exportbeschränkung für JHICC. Der andere inländische DRAM-Hersteller CXMT wird voraussichtlich gegen Ende dieses Jahres in die Serienproduktion gehen. Die aktuelle Richtlinie des Staates ist es, dass ein einziges inländisches Speicherunternehmen nicht ausreicht, um den Vorstoß in Richtung Selbstversorgung bei der DRAM-Versorgung voranzutreiben, insbesondere durch den Gegenwind aus dem Handelsstreit mit den USA.
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2019.10.11 15:09 V14.5.0-1