Toshiba Memory Corporation und Western Digital Corporation eröffnen neue Halbleiterfertigungsstätte

Man werde nun die Produktion von 96-lagigem 3D-NAND steigern. Fab 6 ist eine hochmoderne Anlage, die es ermögliche, die führende Position weiter auszubauen. Die Massenproduktion von 96-Lagen-3D-Flash-Speicher mit der neuen Fabrik begann Anfang des Monats. Die Nachfrage nach 3D-Flash-Speichern für Unternehmensserver, Rechenzentren und Smartphones steigt und werde in den kommenden Jahren voraussichtlich weiter steigen. Weitere Investitionen in den Ausbau der Produktion sollen entsprechend der Marktentwicklung getätigt werden. Das Memory R&D Center, das sich in der Nähe von Fab 6 befindet, hat im März dieses Jahres seinen Betrieb aufgenommen und wird die Fortschritte in der Entwicklung von 3D-Flash-Speicher erforschen und fördern. Toshiba Memory und Western Digital wollen ihre Führungsrolle im Speichergeschäft weiter ausbauen, indem sie Initiativen zur Stärkung der Wettbewerbsfähigkeit entwickeln, die die gemeinsame Entwicklung von 3D-Flash-Speichern vorantreiben. „Wir freuen uns über die Möglichkeiten, den Markt für unsere neueste Generation von 3D-Flash-Speichern zu erweitern. Fab 6 und das Memory R&D Center ermöglichen es uns, unsere Position als führender Anbieter im 3D-Flash-Speicher-Markt zu behaupten", so Dr. Yasuo Naruke, President und CEO von Toshiba Memory. Steve Milligan, Chief Executive Officer von Western Digital: „Seit fast zwei Jahrzehnten treibt die erfolgreiche Zusammenarbeit zwischen unseren Unternehmen das Wachstum und die Innovation der NAND-Flash-Technologie voran. Jetzt steigern wir die Produktion von 96-lagigem 3D-NAND, um die gesamte Bandbreite von Consumer- und mobilen Anwendungen bis hin zu Cloud-Rechenzentren abzudecken".