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© Infineon Technologies AG Produkte | 16 Juli 2018

Infineon produziert den fünfmilliardsten CMOS-HF-Schalter

Höchste QualitĂ€tsstandards und industrieweit fĂŒhrende Halbleiter durch Innovation und Fertigung: So begann die Infineon Technologies AG 2008 die Volumenfertigung der ersten CMOS-Hochfrequenz-(HF)-Schalter.
Das ist eine ProduktankĂŒndigung von Infineon Technologies AG. Allein der Emittent ist fĂŒr den Inhalt verantwortlich.
Wegen der beginnenden 5G-Mobilfunk-Ära erlebt das Portfolio von Infineon heute weltweit hohes Interesse bei innovativen Anbietern im Wireless-Markt. Inzwischen liefert das Unternehmen weit mehr als eine Milliarde HF-CMOS-Schalter pro Jahr an Kunden aus, seit dem Start insgesamt mehr als fĂŒnf Milliarden StĂŒck.

„Angesichts der weitreichenden Expertise bei der Halbleiterfertigung und hohen QualitĂ€t ist Infineon ein bevorzugter Lieferant fĂŒr OEMs und Chipsatz-Anbieter“, sagte Philipp von SchierstĂ€dt, Vice President und General Manager fĂŒr Radio Frequency Systems bei Infineon. „Die hohe Marktakzeptanz unterstreicht unser tiefgreifendes SystemverstĂ€ndnis fĂŒr HF-Front-Ends, unser technisches Knowhow sowie die mit hoher QualitĂ€t und LieferzuverlĂ€ssigkeit verbundene Fertigungsstrategie von Infineon.“

Die in hohen StĂŒckzahlen ausgelieferten CMOS-ICs bieten zahlreiche Integrationsvorteile. Seit EinfĂŒhrung von Halbleiterlösungen in den 1960er Jahren lassen sich die Design-Technologien fĂŒr HF-Schalter in zwei Kategorien gliedern: elektromechanische Schalter (MEMS) und Halbleiterschalter. Aufgrund der relativ langsamen Schaltgeschwindigkeiten, der beschrĂ€nkten Wiederholgenauigkeit und ZuverlĂ€ssigkeit scheiden MEMS fĂŒr zukĂŒnftige 5G-Anwendungen aus.

Mittlerweile ermöglichen Fortschritte bei der Forschung weitere Optionen fĂŒr die Halbleiterlösungen. Im Vergleich zu Gallium-Arsenid (GaAs) und Gallium-Nitrit (GaN) bietet die Transistor-zu-Transistor-Logik auf CMOS-Basis die bestmögliche Integration. Dies erlaubt platzsparende Designs auf den Leiterplatten. Denn im Gegensatz zu den anderen Alternativen benötigen die CMOS-Lösungen keinen zusĂ€tzlichen Oxid-Layer und kein spezielles Material fĂŒr die Waferverarbeitung. Das reduziert die Kosten.

Aufgrund der kommenden 5G-Telekommunikation stehen OEMs und OMDs neben der allgemeinen Industriedynamik weiteren Herausforderungen gegenĂŒber. Infineon entwickelt hierfĂŒr neue Produkte, die den hohen Anforderungen der HF-Entwickler entsprechen.

VerfĂŒgbarkeit

Die Spezifikation der verfĂŒgbaren Muster einer neuen Generation von CMOS-HF-Schaltern unterstreicht diese fĂŒhrende Position. Die Volumenfertigung der neuen Bauelemente BGSX22G5A10 und BGSX33MA16 fĂŒr das Antennen-Swapping beginnt im SpĂ€tsommer 2018 und stellt die weitere VerfĂŒgbarkeit leistungsfĂ€higer HF-Schalter sicher. Weitere Informationen sind erhĂ€ltlich unter www.infineon.com/rfswitches.
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2018.12.13 13:08 V11.10.14-2