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Infineon investiert 1,1 Milliarden Euro in GaN-Chipfertigung in Villach
Der deutsche Halbleiterhersteller Infineon investiert rund 1,1 Milliarden Euro in den Aufbau einer Großserienfertigung für Galliumnitrid-Leistungshalbleiter (GaN) im österreichischen Villach. Das geht aus einer Pressemitteilung des Unternehmens vom 27. Oktober hervor. Dort soll nach Unternehmensangaben die weltweit erste Großserienproduktion von GaN-Leistungshalbleitern auf 300-Millimeter-Wafern entstehen. Mit der Investition will Infineon die steigende Nachfrage nach energieeffizienten Chips bedienen und die europäische Halbleiterfertigung stärken.
Großserienfertigung auf 300-Millimeter-Wafern
Für das Vorhaben will Infineon seine bestehenden Reinraumanlagen in Villach modernisieren und dort künftig GaN-Leistungshalbleiter auf 300-Millimeter-Wafern produzieren. Dabei nutzt der Konzern die vorhandene Infrastruktur, um die Fertigungskapazitäten möglichst wirtschaftlich auszubauen.
Bereits 2024 hatte Infineon nach eigenen Angaben weltweit erstmals GaN-Wafer mit einem Durchmesser von 300 Millimetern erfolgreich verarbeitet. Nun soll das Verfahren in die industrielle Großserie übergehen. Der größere Waferdurchmesser erlaubt nach Unternehmensangaben eine deutlich wirtschaftlichere Fertigung: Gegenüber 200-Millimeter-Wafern entstehen auf einem 300-Millimeter-Wafer rund 2,3-mal so viele Chips.
Jochen Hanebeck, Vorstandsvorsitzender von Infineon, erklärte: „Diese umfangreiche Investition unterstreicht unser klares Bekenntnis zur Stärkung der europäischen Halbleiterindustrie und der technologischen Souveränität Europas. Mit dem Aufbau der Großserienfertigung auf 300-Millimeter-Wafern werden wir als erstes Unternehmen weltweit GaN-Leistungshalbleiter auf dieser Wafergröße in großen Stückzahlen produzieren. Damit ebnen wir den Weg für den breiten Einsatz von Galliumnitrid in wichtigen Bereichen wie künstlicher Intelligenz, Energieinfrastruktur, Elektromobilität und Robotik. Mit dieser neuen, hochmodernen Fertigungsanlage machen wir unsere Innovationsführerschaft unmittelbar für unsere Kunden nutzbar.“
GaN-Fertigung soll steigende Nachfrage bedienen
Mit der Investition reagiert Infineon auf den wachsenden Bedarf an energieeffizienten Leistungshalbleitern. Galliumnitrid ermöglicht eine effizientere Stromwandlung bei geringeren Energieverlusten und reduzierter Wärmeentwicklung. Laut einer Prognose der Yole Group soll der weltweite Markt für GaN-Leistungshalbleiter zwischen 2025 und 2031 jährlich um durchschnittlich 35 Prozent auf rund 3,5 Milliarden US-Dollar wachsen. Einsatzmöglichkeiten sieht das Unternehmen unter anderem in der Stromversorgung von KI-Rechenzentren, in der Energieinfrastruktur sowie in der Elektromobilität und Robotik.
Für Villach bedeutet die Investition einen weiteren Ausbau seiner Rolle als Entwicklungs- und Fertigungsstandort für Leistungselektronik. Nach Unternehmensangaben soll die Investition die grenzüberschreitende Zusammenarbeit mit Hochschulen und Forschungseinrichtungen fördern. Auch Start-ups sowie kleine und mittlere Unternehmen sollen leichteren Zugang zu neuen Technologien und Produkten erhalten.
Ab Ende 2027 soll die neue Fertigung anlaufen. Bis 2034 will Infineon dafür rund 1,1 Milliarden Euro investieren. Die Europäische Kommission hat staatliche Beihilfen von 319 Millionen Euro für das Projekt genehmigt. Die endgültige Förderzusage des österreichischen Wirtschaftsministeriums steht noch aus.
