Infineon und NVIDIA erweitern Zusammenarbeit bei GaN-Technologie für KI-Rechenzentren
Infineon Technologies und NVIDIA bauen ihre Zusammenarbeit bei der Energieversorgung von KI-Rechenzentren aus. Im Mittelpunkt stehen Stromwandlungssysteme auf Basis von Galliumnitrid (GaN) für 800-Volt-Gleichstromarchitekturen. Die Technologie soll eine höhere Leistungsdichte, geringere Energieverluste und eine effizientere Stromversorgung leistungsstarker KI-Systeme ermöglichen.
Wie Infineon am 21. Oktober 2026 anlässlich der NVIDIA-Entwicklerkonferenz GTC Berlin mitteilt, konzentriert sich die erweiterte Kooperation auf sogenannte Intermediate Bus Converter (IBC). Diese Hochvolt-Spannungsumrichter übernehmen eine zentrale Funktion innerhalb der Stromversorgung von KI-Rechenzentren.
Die Zusammenarbeit baut auf gemeinsamen Aktivitäten auf, die im Mai 2025 begonnen und im Oktober desselben Jahres weiter konkretisiert wurden.
„KI verändert die Anforderungen an die Energieinfrastruktur grundlegend. Halbleiter sind der Schlüssel, um diese Herausforderung zu lösen“, erklärt Jochen Hanebeck, CEO von Infineon.
Die Zusammenarbeit mit NVIDIA bei 800-Volt-Architekturen zeige, welches Potenzial entstehe, wenn Halbleiterkompetenz und die Innovationsgeschwindigkeit der künstlichen Intelligenz zusammenkommen. GaN-basierte Systemlösungen seien ein wichtiger Wegbereiter für die nächste Generation von Rechenzentren.
800-Volt-Technologie für steigenden Energiebedarf
Mit der zunehmenden Leistungsfähigkeit von KI-Prozessoren steigen auch die Anforderungen an die Energieversorgung von Rechenzentren.
In sogenannten Zwischenkreisarchitekturen wandelt ein Intermediate Bus Converter die Eingangsspannung von 800 Volt in eine niedrigere Spannung um. Nachgelagerte Wandlungsstufen erzeugen anschließend die präzisen Versorgungsspannungen, die KI-Prozessoren benötigen.
Dieser mehrstufige Ansatz soll Energieverluste bei der Stromwandlung reduzieren und gleichzeitig hohe Anforderungen an Platzbedarf, Wärmeentwicklung und Verfügbarkeit erfüllen.
Mit dem weiteren Ausbau der KI-Infrastruktur sollen 800-Volt-Gleichstromarchitekturen künftig ergänzend zu bestehenden Wechselstrom- und Niedervolt-Gleichstromsystemen eingesetzt werden. Sie eignen sich insbesondere für Rechensysteme mit hoher Leistungsdichte.
Galliumnitrid ermöglicht höhere Schaltfrequenzen
Infineon setzt bei den Hochvolt-Spannungsumrichtern auf Galliumnitrid. Das Halbleitermaterial bietet gegenüber herkömmlichem Silizium Vorteile bei Schaltgeschwindigkeit und Energieverlusten.
GaN-Leistungsbauteile ermöglichen in der IBC-Stufe Schaltfrequenzen von bis zu einem Megahertz. Dadurch können magnetische Bauteile und passive Komponenten deutlich kleiner dimensioniert werden.
Das führt zu einer höheren Leistungsdichte und geringeren Bauhöhe der Systeme. Insbesondere in KI-Rechenzentren, in denen der verfügbare Platz innerhalb der Serverracks zunehmend begrenzt ist, stellt dies einen wichtigen Vorteil dar.
Gleichzeitig tragen die geringeren Leitungs- und Schaltverluste dazu bei, die Wärmeentwicklung zu begrenzen. Dies gewinnt an Bedeutung, da die elektrische Leistung einzelner Serverracks zunehmend in Richtung Megawattbereich steigt.
Spannungswandlung von 800 Volt auf bis zu 6 Volt
Das GaN-Portfolio von Infineon unterstützt verschiedene Spannungswandlungsstufen, darunter 800 Volt auf 50 Volt, 800 Volt auf 12 Volt und 800 Volt auf 6 Volt.
Damit können Betreiber von Rechenzentren ihre Stromversorgungsarchitekturen an unterschiedliche Anforderungen anpassen.
In Kombination mit den Produktfamilien PSOC Control C3 und EiceDRIVER bietet Infineon vollständige Systemlösungen für Intermediate Bus Converter an.
Neben Galliumnitrid umfasst das Portfolio des Unternehmens auch IBC-Lösungen auf Basis von Silizium und Siliziumkarbid. Dadurch sollen unterschiedliche Anforderungen an die Entwicklung und Integration von Stromversorgungssystemen abgedeckt werden.
Zusammenarbeit entlang der gesamten Stromversorgungskette
Infineon und NVIDIA arbeiten nicht nur an der Spannungswandlung, sondern auch an weiteren Komponenten der Stromversorgung von KI-Rechenzentren.
Dazu gehören Lösungen zum Schutz des Strompfads, die bereits im Oktober 2025 angekündigt wurden. Diese adressieren unter anderem Sicherheits- und Wartungsanforderungen sowie sogenannte Hot-Swap-Funktionen, mit denen sich Komponenten im laufenden Betrieb austauschen lassen.
Die Technologien sollen dazu beitragen, zukünftige Serverboards für den Betrieb mit 800-Volt-Gleichstromarchitekturen auszulegen.
Mit der erweiterten Zusammenarbeit will Infineon seine Position als Anbieter von Leistungshalbleitern für KI-Infrastrukturen stärken. Das Unternehmen deckt dabei nach eigenen Angaben die gesamte Energieversorgungskette ab, von der Stromversorgung aus dem Netz bis zur Spannungsversorgung direkt am Prozessor.
