Infineon-Halbleiter an Bord des neuen NASA-Weltraumteleskops
Strahlungsgehärtete Halbleiter von Infineon kommen im Nancy-Grace-Roman-Weltraumteleskop der NASA zum Einsatz. Das Teleskop soll am zweiten Lagrangepunkt rund 1,5 Millionen Kilometer von der Erde entfernt bis zu zehn Jahre lang wissenschaftliche Daten sammeln.
Strahlungsgehärtete HiRel-Halbleiter von Infineon sind an Bord des erfolgreich vom Kennedy Space Center in Florida gestarteten Nancy-Grace-Roman-Weltraumteleskops. Das teilte der Halbleiterhersteller in einer Pressemitteilung mit. Das Teleskop wird zum zweiten Lagrangepunkt (L2) des Erde-Sonne-Systems reisen, der mehr als 1,5 Millionen Kilometer von der Erde entfernt liegt. Dort befindet sich auch das James-Webb-Weltraumteleskop.
Für die Mission kommen strahlungsgehärtete Leistungshalbleiter aus Infineons HiRel-Portfolio zum Einsatz. Die Bauelemente sind nach MIL-PRF-Standards qualifiziert und auf die Strahlungsbedingungen außerhalb des schützenden Magnetfelds der Erde ausgelegt. Anders als eine passive Abschirmung setzt Infineon dabei auf Halbleiterarchitekturen, die konstruktionsbedingt widerstandsfähig gegen Strahlung sind.
„Der Start markiert den Beginn einer der wissenschaftlich produktivsten Weltraumobservations-Missionen, die je unternommen wurden, und die HiRel-Technologie von Infineon ist von Anfang an dabei“, sagt Mike Mills, Senior Vice President und General Manager HiRel bei Infineon.
Das Roman-Teleskop soll bis zu zehn Jahre am L2 betrieben werden, ohne dass Wartungs- oder Reparaturarbeiten möglich sind. Eine zuverlässige Stromversorgung ist daher entscheidend. Die Systeme an Bord sollen täglich rund 1,4 Terabyte Rohdaten an Bodenstationen in New Mexico, Australien und Japan übertragen – laut Infineon das bislang höchste Datenvolumen einer NASA-Astrophysikmission.
Zum HiRel-Portfolio des Unternehmens gehören unter anderem strahlungsgehärtete Silizium-Power-MOSFETs, Galliumnitrid-Transistoren (GaN), Gate-Treiber, Solid-State-Relais und Dioden. Ein zentrales Produkt ist ein JANS-qualifizierter strahlungsgehärteter 100-V-GaN-Transistor nach MIL-PRF-19500.
GaN ermöglicht nach Angaben von Infineon geringere Schaltverluste, eine höhere Leistungsdichte und höhere Schaltfrequenzen. Gleichzeitig kann der Bedarf an magnetischen Komponenten reduziert werden, was bei Raumfahrtanwendungen Gewicht und Bauraum einsparen kann.
Infineon liefert bereits seit den 1970er Jahren strahlungsgehärtete Komponenten für Raumfahrtprogramme. Die Technologie des Unternehmens kam unter anderem bei Navigationssatelliten, der Internationalen Raumstation und dem Artemis-Programm der NASA zum Einsatz.
