Sivers kündigt 3,4-Millionen-Dollar-Programm mit SemiNex für InP-Lichtquellen an

Das schwedische Unternehmen Sivers Semiconductors und die US-amerikanische SemiNex Corporation, ein Entwickler von Hochleistungs-Laserdioden auf Basis von Indiumphosphid (InP), DFB-Lasern, optischen Halbleiterverstärkern (SOAs) und External-Cavity-Lasern, haben ein Programm zur Entwicklung von InP-Lichtquellen der nächsten Generation für Verbindungen in KI-Rechenzentren angekündigt. Das Programm hat zunächst einen Wert von rund 3,4 Millionen US-Dollar, teilte Sivers in einer Pressemitteilung mit.

Das Programm konzentriert sich auf leistungsstarke externe Laserquellen für Co-Packaged Optics (CPO), DFB-Arrays mit hoher Kanalzahl für wellenlängenmultiplexierte Verbindungen sowie SOA-Verstärkerstufen, die mit steigender Kanalzahl größere optische Reichweiten ermöglichen.

„Die fortschrittlichen Lichtquellen, die für optische Netzwerke der nächsten Generation innerhalb von KI-Fabriken benötigt werden, sind ebenso entscheidend wie Rechenleistung, Speicher und Siliziumphotonik“, sagte Vickram Vathulya, Chief Executive Officer von Sivers Semiconductors. „Wir schätzen unsere Partnerschaft mit SemiNex sehr, um innovative Technologien zu kombinieren und überzeugende Lichtquellenlösungen in großem Maßstab auf den Markt zu bringen.“

„Die optische Ebene wird zunehmend zum begrenzenden Faktor dafür, wie weit sich KI-Infrastrukturen skalieren lassen. Die Branche benötigt mehr Leistung, bei mehr Wellenlängen und mit höherer Effizienz – und das lässt sich nicht erreichen, indem man die heutigen Bauelemente einfach stärker belastet“, sagte Ronald Moore, Chief Executive Officer von SemiNex. „Diese Verbesserungen müssen aus dem Design und der Verarbeitung des InP selbst kommen, und genau daran arbeiten unsere beiden Teams gemeinsam.“