Wolfspeed verklagt Navitas wegen angeblicher Patentverletzungen
Der US-amerikanische Halbleiterhersteller Wolfspeed hat beim United States District Court for the District of Delaware Klage gegen Navitas Semiconductor wegen angeblicher Patentverletzungen eingereicht. Nach Angaben des Unternehmens verletzen mehrere Produktreihen von Navitas Patente im Bereich Siliziumkarbid- (SiC) und Galliumnitrid-Technologien (GaN). Navitas weist die Vorwürfe zurück.
Laut Wolfspeed betrifft die Klage mehrere US-Patente, darunter die Patentnummern 8,169,005, 10,998,418, 10,886,396, 10,749,443 und 11,888,392. Zu den beanstandeten Produkten zählen unter anderem die GaN-basierten Feldeffekttransistoren (FETs) der Produktfamilien GaNFast, GaNSlim und GaNSafe sowie die GeneSiC-MOSFETs und SiCPAK-Module von Navitas.
„Die grundlegenden Technologien von Wolfspeed haben diese Branche mitbegründet, und wir setzen uns entschlossen für den Schutz unseres geistigen Eigentums ein, das auf jahrzehntelanger Innovation sowie umfangreichen Forschungs- und Entwicklungsinvestitionen basiert“, sagte Robert Feurle, CEO von Wolfspeed. „Wir respektieren die Schutzrechte anderer Unternehmen und erwarten denselben Respekt für unsere eigenen. Der Schutz unseres Patentportfolios hat für das Unternehmen und unsere Aktionäre strategische Bedeutung.“
Navitas erklärte hingegen, die Vorwürfe entschieden zurückzuweisen.
„Obwohl wir uns grundsätzlich nicht zu laufenden Gerichtsverfahren äußern, bestreitet Navitas die in der Klage erhobenen Vorwürfe, wird sich und seine Produkte mit Nachdruck gegen die unbegründeten Anschuldigungen verteidigen und geht davon aus, das Verfahren zu gewinnen“, teilte das Unternehmen mit.
Darüber hinaus betonte Navitas, dass die eigenen Technologien auf „jahrzehntelanger unabhängiger Innovation, Forschung, Entwicklung und Investitionen“ beruhen. Das Unternehmen bezeichnete die Klage von Wolfspeed als „Versuch, sich einen Vorteil zu verschaffen, den das Unternehmen im fairen Wettbewerb nicht erreichen könne“.
Mit dem Rechtsstreit verschärft sich der Wettbewerb im schnell wachsenden Markt für SiC- und GaN-Leistungshalbleiter, die unter anderem in Elektrofahrzeugen, Rechenzentren, Industrieanwendungen und erneuerbaren Energien eingesetzt werden.
