AIXTRON rüstet ROHM mit G10-GaN-Plattform für eigene Epitaxie aus
Der deutsche Halbleiteranlagenbauer AIXTRON SE liefert dem japanischen Leistungshalbleiterhersteller ROHM Semiconductor ein G10-GaN-Depositionssystem für den Aufbau einer eigenen GaN-Epitaxie im japanischen Hamamatsu. Das geht aus einer Pressemitteilung von AIXTRON vom 8. Juni hervor. ROHM bereitet damit die Serienfertigung von 8-Zoll-GaN-Epitaxiewafern für 650-V- und 100-V-Leistungsbauelemente vor. Die Bauelemente adressieren den steigenden Leistungsbedarf in KI-Infrastruktur und Automotive-Leistungselektronik.
Mehr Wertschöpfung bei GaN-Leistungshalbleitern
Mit dem Aufbau der eigenen GaN-Epitaxie holt ROHM einen wichtigen Teil der Prozesskette in die eigene Fertigung. Für 650-V-GaN-Bauelemente arbeitete das Unternehmen bisher mit externen Foundry-Partnern. Mit dem G10-GaN-System von AIXTRON entsteht nun eigene Epitaxie-Kapazität in Japan. Damit gewinnt ROHM mehr Zugriff auf die Qualität der Epitaxiewafer. Auch Bauelementleistung und Produktionsplanung geraten stärker unter eigene Steuerung. Das Unternehmen will mit der eigenen GaN-Epitaxie schneller auf Anforderungen aus den Märkten für KI und Leistungselektronik für Automobile reagieren.
Mit den GaN-Bauelementen bedient ROHM Anwendungen, bei denen kompakte Stromversorgung und geringe Verluste eng zusammenhängen. Die 650-V-GaN-HEMTs decken Server-Stromversorgungen ab. Für elektrische Antriebsstränge kommen Onboard-Ladegeräte und DC-DC-Wandler dazu. Die 100-V-Produkte sind für Spannungsreglermodule in KI-Beschleunigern und GPU-basierten Computing-Plattformen ausgelegt. Laut AIXTRON stellen diese Plattformen hohe Anforderungen an Leistungsdichte und Effizienz. Das Wärmemanagement entscheidet mit darüber, wie stabil die Systeme unter Last laufen.
Yasushi Hamazawa, Executive Officer bei ROHM Semiconductor, erklärte: „Das G10-GaN-System von AIXTRON vereint bewährte Technologie, Skalierbarkeit und einen partnerschaftlichen Ansatz – genau die Kombination, die ROHM benötigt, um bei GaN-Leistungsbauelementen führend zu sein.“
GaN-Leistungselektronik soll in KI- und Automotive-Anwendungen wachsen
Für die Serienfertigung der GaN-Epitaxie stimmen beide Unternehmen Prozesse und Technologiepfade eng aufeinander ab. Die G10-GaN-Plattform ist für GaN-on-Silicon-Epitaxie in industriellen Stückzahlen ausgelegt. Bei Bauelementen mit hoher Durchbruchspannung und niedrigem Durchlasswiderstand muss die Epitaxie über den gesamten Wafer hinweg gleichmäßig ausfallen. Durchsatz und Prozesskontrolle sollen den Hochlauf in die Serie absichern.
Dr. Felix Grawert, CEO von AIXTRON SE, erklärte: „Die Entscheidung von ROHM, die GaN-Epitaxie auf unserer G10-GaN-Plattform in Eigenregie durchzuführen, steht für einen entscheidenden Wandel, wie führende Bauelementhersteller ihre Lieferketten für Verbindungshalbleiter absichern.“
