ITC entscheidet im GaN-Patentstreit zugunsten von Infineon
Die vollständige Kommission der US International Trade Commission (ITC) hat eine frühere Entscheidung bestätigt, wonach der chinesische GaN-Hersteller Innoscience ein Patent von Infineon verletzt hat. Gleichzeitig verhängte die Behörde Import- und Verkaufsverbote für Galliumnitrid-Produkte von Innoscience in den USA.
Die endgültige Entscheidung der ITC bestätigt die ursprüngliche Feststellung vom Dezember 2025. Laut einer Pressemitteilung von Infineon unterliegen die Import- und Verkaufsverbote nun noch einer 60-tägigen Prüfungsfrist durch den US-Präsidenten, bevor sie in Kraft treten.
Die Entscheidung ist Teil eines umfassenderen Patentstreits zwischen den beiden Unternehmen. Parallel dazu verfolgt Infineon vor dem Landgericht München Ansprüche wegen der Verletzung von drei Patenten und einem Gebrauchsmuster. Das Münchner Gericht hatte bereits im August 2024 in einem Patentfall zugunsten von Infineon entschieden. Weitere Verfahren zu einem zusätzlichen Patent und einem Gebrauchsmuster sind für Juni 2026 angesetzt.
Infineon verfügt nach eigenen Angaben über rund 450 Patentfamilien im Bereich Galliumnitrid (GaN) und bezeichnet sein Portfolio als das umfangreichste der Branche. Darüber hinaus verweist das Unternehmen auf Vorteile durch seine 300-Millimeter-GaN-Fertigung, die Kostenvorteile und Leistungssteigerungen bei hohen Produktionsvolumina ermöglichen soll.
„Diese Entscheidung unterstreicht erneut die Stärke des geistigen Eigentums von Infineon. Sie bestätigt unser Engagement, das Patentportfolio von Infineon aktiv zu schützen und fairen Wettbewerb in der Branche sicherzustellen“, sagte Johannes Schoiswohl, Senior Vice President und Leiter der Business Line GaN Systems bei Infineon.
