Indien genehmigt Halbleiterprojekte im Wert von 400 Millionen US-Dollar
Die indische Regierung hat im Rahmen der India Semiconductor Mission (ISM) zwei weitere Halbleiterprojekte mit einem Gesamtvolumen von mehr als 39 Milliarden INR (rund 400 Millionen US-Dollar) genehmigt.
Bei den Projekten handelt es sich um die erste kommerzielle Mini-/Micro-LED-Produktionsanlage des Landes auf Basis von Gallium-Nitrid-(GaN)-Technologie sowie um eine neue Halbleiter-Packaging-Anlage. Beide Standorte entstehen im Bundesstaat Gujarat und sollen insgesamt rund 2.230 qualifizierte Arbeitsplätze schaffen.
Crystal Matrix Limited (CML) plant in Dholera den Aufbau einer integrierten Fertigungsanlage für Compound-Halbleiter und ATMP-Prozesse (Assembly, Testing, Marking and Packaging). Produziert werden sollen Mini-/Micro-LED-Displaymodule sowie GaN-Foundry-Dienstleistungen inklusive Epitaxie auf 6-Zoll-Wafern.
Die geplante Jahreskapazität umfasst 72.000 Quadratmeter Mini-/Micro-LED-Displaypanels sowie 24.000 Sätze von RGB-GaN-Epitaxie-Wafern.
Parallel dazu errichtet Suchi Semicon Private Limited (SSPL) in Surat eine OSAT-Anlage (Outsourced Semiconductor Assembly and Test) zur Produktion diskreter Halbleiter. Die Anlage soll eine Jahreskapazität von rund 1,03 Milliarden Chips erreichen.
Die dort produzierten Komponenten sind für Anwendungen in Leistungselektronik, analogen ICs und industriellen Systemen vorgesehen und sollen unter anderem die Bereiche Automotive, Industrieautomation und Unterhaltungselektronik bedienen.
Mit den neuen Projekten setzt Indien seine Strategie fort, eine eigene Halbleiterindustrie aufzubauen und die Abhängigkeit von internationalen Lieferketten zu reduzieren. Dabei konzentriert sich das Land zunehmend auf Bereiche wie Packaging, Compound-Halbleiter und spezialisierte Fertigungstechnologien.
