Aixtron liefert GaN-MOCVD-Systeme an Renesas
Aixtron hat mehrere Planetary G5+C-Systeme an Renesas geliefert, um die Produktion von Gallium-Nitrid-(GaN)-Halbleitern für die Serienfertigung auszubauen.
Seit der Übernahme von Transphorm im Juni 2024 treibt Renesas den Einsatz von GaN-Technologie in verschiedenen Wachstumsfeldern voran. Dazu zählen Elektromobilität und Automotive, IoT-Lösungen, Schnellladeinfrastruktur, KI-Rechenzentren sowie Anwendungen im Bereich erneuerbare Energien und Industrie. Ziel ist eine effizientere und kompaktere Leistungsumwandlung im großen Maßstab.
Bei der MOCVD-Technologie (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) handelt es sich um ein zentrales Verfahren in der Halbleiterfertigung zur Herstellung hochwertiger GaN-Epitaxieschichten. Die Planetary-MOCVD-Systeme von Aixtron sind auf hohe Durchsatzraten und eine gleichmäßige Schichtqualität ausgelegt und sollen die Skalierung der GaN-Leistungshalbleiterproduktion von Renesas unterstützen.
Die Systeme wurden bereits ausgeliefert und befinden sich laut Unternehmen im operativen Einsatz.
„GaN ist eines der am schnellsten wachsenden Segmente in unserer Branche und entwickelt sich zu einem wichtigen Wachstumstreiber unseres Power-Geschäfts“, sagte Rohan Samsi, Vice President der GaN Business Division bei Renesas. „Wir freuen uns darauf, auf der bewährten Planetary-Plattform aufzubauen und unsere Produktionskapazitäten mit zusätzlichen Aixtron-Systemen nahtlos zu erweitern.“
Die Zusammenarbeit unterstreicht die zunehmende Bedeutung von GaN-Technologien für energieeffiziente Leistungsanwendungen in Bereichen wie Elektromobilität, KI-Infrastruktur und Industrieelektronik.
