Infineon: GaN-Markt soll bis 2030 deutlich wachsen
Der deutsche Halbleiterhersteller Infineon Technologies erwartet, dass der Markt für Leistungshalbleiter auf Galliumnitrid-Basis (GaN) bis 2030 nahezu 3 Milliarden US-Dollar erreichen wird. Das geht aus der Ausgabe 2026 des jährlichen Berichts „GaN Insights“ hervor.
Unter Berufung auf Analystenprognosen erklärt das Unternehmen, dass für den Zeitraum von 2025 bis 2030 eine durchschnittliche jährliche Wachstumsrate (CAGR) von 44 % erwartet wird. Der Umsatz soll 2026 auf 920 Millionen US-Dollar steigen, was einem Zuwachs von 58 % gegenüber 2025 entspricht. Der für 2030 prognostizierte Wert würde laut Infineon einem Anstieg von rund 400 % im Vergleich zu 2025 entsprechen.
Infineon zufolge wird dieses schnelle Wachstum durch Produktionshochläufe begünstigt, die im Jahr 2025 begonnen haben. Diese tragen dazu bei, dass sich GaN-Technologie in mehreren Industriezweigen etabliert und in neue Anwendungen vordringt.
Hervorgehobene Produktentwicklungen
In dem Bericht beschreibt Infineon Fortschritte bei bidirektionalen Hochspannungs-GaN-Schaltern mit Common-Drain-Design und Doppel-Gate-Struktur, die auf der Gate Injection Transistor (GIT)-Technologie basieren.
Nach Angaben des Unternehmens ermöglicht diese Architektur, dass dieselbe Driftzone Spannungen in beide Richtungen sperrt, wodurch sich die Chipfläche im Vergleich zu herkömmlichen Back-to-Back-Designs verringert. Infineon gibt an, dass die bidirektionalen CoolGaN-Schalter, die mit Frequenzen von bis zu 1 MHz arbeiten, es Solar-Mikro-Wechselrichtern ermöglichen können, bei gleicher Baugröße bis zu 40 % mehr Leistung bereitzustellen und zugleich die Systemkosten zu senken.
Ausweitung auf neue Anwendungen
Dem Bericht zufolge weitet sich der Einsatz von GaN-Technologie über etablierte Anwendungen wie Solarwechselrichter und On-Board-Ladegeräte für Elektrofahrzeuge hinaus auf Bereiche wie KI-Rechenzentren, Robotik, erneuerbare Energien, digitale Gesundheit und Quantencomputing aus.
In Rechenzentren könnten GaN-basierte Stromversorgungen laut Infineon die Leistungsverluste um bis zu 30 % reduzieren und gleichzeitig effizientere, kompaktere Rechenzentrumsarchitekturen ermöglichen. Für die Robotik erklärt das Unternehmen, dass GaN-basierte Motorantriebe in humanoiden Robotern bis zu 40 % kleiner ausfallen können und eine verbesserte Bewegungssteuerung erlauben.
