US-ITC bestätigt Patentverletzung von Infineon durch Innoscience
Die US-amerikanische International Trade Commission (ITC) hat in einer vorläufigen Entscheidung festgestellt, dass Innoscience gegen ein Infineon-Patent im Bereich der Galliumnitrid-(GaN)-Technologie verstoßen hat. Gleichzeitig bekräftigte die ITC die Rechtsbeständigkeit beider von Infineon in diesem Verfahren geltend gemachten Patente. Die endgültige Entscheidung wird für den 2. April 2026 erwartet. Wird die Entscheidung bestätigt, könnte sie zu einem Importverbot für als patentverletzend eingestufte Produkte von Innoscience in die USA führen.
Infineon sieht das Urteil als weitere Bestätigung für die Stärke seines geistigen Eigentums und die konsequente Verteidigung seines Patentportfolios. Das Unternehmen betont den Anspruch, Innovation zu schützen und fairen Wettbewerb zu gewährleisten.
Parallel zur US-Entscheidung wurde vor Kurzem auch in Deutschland die Rechtsbeständigkeit eines Infineon-Patents durch das Deutsche Patent- und Markenamt bestätigt. Infineon klagt dessen Verletzung vor dem Landgericht München I ein. Bereits im August 2025 hatte das Gericht zudem die Verletzung eines weiteren Infineon-Patents durch Innoscience festgestellt.
Infineon zählt zu den führenden Anbietern im GaN-Segment und verfügt nach eigenen Angaben über rund 450 GaN-Patentfamilien. GaN gilt als Schlüsseltechnologie für kompakte, leistungsstarke und energieeffiziente Leistungssysteme — von erneuerbaren Energien über KI-Rechenzentren und industrielle Automatisierung bis hin zu Elektrofahrzeugen. Infineon beherrscht dabei alle drei wesentlichen Leistungshalbleitertechnologien: Silizium, Siliziumkarbid und Galliumnitrid.
