Ohio State setzt bei Ga₂O₃-Epitaxie auf AIXTRON
Die Ohio State University (OSU) hat ein Close Coupled Showerhead (CCS) MOCVD-System von AIXTRON erworben, um die Forschung an Galliumoxid- und Aluminiumgalliumoxid-Halbleitern weiter auszubauen. Das System wird für die Epitaxie auf 100-mm-Substraten eingesetzt und soll neue Fortschritte in der Entwicklung von Bauelementen mit breiter und ultrabreiter Bandlücke ermöglichen.
Galliumoxid gilt als eines der vielversprechendsten Materialien für künftige Leistungsbauelemente – insbesondere aufgrund seiner hohen Spannungsfestigkeit, thermischen Stabilität und Effizienz im Vergleich zu etablierten Halbleitermaterialien. AIXTRONs CCS-Plattform wurde so ausgelegt, dass sie homogene, hochwertige Schichten für Verbundmaterialien bereitstellt und gleichzeitig Skalierbarkeit bis zu 4-Zoll-Wafern ermöglicht.
Laut OSU haben frühere Arbeiten mit CCS-Reaktoren für GaAs- und InP-Materialien gezeigt, dass AIXTRONs Systeme durch hohe Gleichmäßigkeit, große Prozessfenster und stabile Performance überzeugen. Die Universität erwartet, dass das neue System die Erforschung neuer Epitaxieschichten, Materialeigenschaften und Bauelementdesigns beschleunigt.
AIXTRON-CEO Dr. Felix Grawert betont, dass die Zusammenarbeit die wachsende Bedeutung von Galliumoxid für die nächste Generation der Leistungselektronik unterstreicht. Die Anlagen des Unternehmens sollen sowohl Forschungseinrichtungen als auch Tier-1-Industriepartnern beim Übergang von der Entwicklung in die Skalierung unterstützen.
Das neue MOCVD-System wird im Nanotech West Lab der Ohio State University installiert – einer rund 3.500 m² großen Forschungseinrichtung, die unter dem Institute for Materials and Manufacturing Research (IMR) betrieben wird und universitätsweit für Halbleiter- und Materialforschung genutzt wird.
